电容：2.2μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X5R
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降
　　老化率：≤2.5%每十年（典型值）

CBC2518T2R2M采用X5R型介电材料，具有良好的电容稳定性，其电容值在-55°C至+85°C的温度范围内变化不超过±15%，这使其在宽温环境下仍能保持相对稳定的性能表现。相比Y5V等介电材料，X5R在温度变化时的电容波动更小，更适合对稳定性有一定要求的应用场景。此外，该电容器在25V额定电压下具备较高的电容体积比，即在有限的PCB空间内实现较大的电容量，这对于高密度布局的现代电子设备尤为重要。
　　该器件采用多层结构设计，内部由多个交错的陶瓷介质层和金属电极交替堆叠而成，这种结构不仅提高了电容值，还显著降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了其在高频下的滤波能力。因此，在开关电源输出端或数字IC的电源引脚去耦中，能够有效抑制电压纹波和瞬态噪声。尽管其容差为±20%，但由于实际应用中往往留有设计余量，这一精度在大多数非精密电路中完全可以接受。
　　值得注意的是，陶瓷电容器存在直流偏压效应，即当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容值会显著低于标称值。对于CBC2518T2R2M而言，在10V或更高偏压下，其有效电容可能降至1.5μF甚至更低，因此在关键滤波设计中需参考厂商提供的直流偏压曲线进行降额设计。此外，该器件对机械应力较为敏感，PCB弯曲或热应力可能导致微裂纹进而引发短路或漏电流增加，建议在布局时避免靠近板边或大质量元件，并采用适当的焊盘设计以缓解应力。

CBC2518T2R2M广泛应用于各类需要中等电容值和适中耐压能力的电子电路中。常见用途包括电源管理模块中的输入/输出滤波电容，用于平滑DC-DC转换器或LDO稳压器的输出电压，减少开关噪声和电压纹波。在数字系统如微处理器、FPGA或ASIC的供电网络中，它常被用作去耦电容，为高速切换的逻辑电路提供瞬时电流支持，维持电源轨的稳定性。
　　此外，该电容器也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、路由器、电视和机顶盒等设备的主板电源部分。在工业控制和汽车电子中，虽然工作环境更为严苛，但只要确保工作电压和温度在规格范围内，CBC2518T2R2M也能可靠运行。由于其无磁特性，也可用于对电磁干扰敏感的射频或模拟前端电路中作为旁路电容。在便携式设备中，得益于其小型化封装和低功耗特性，有助于实现轻薄化设计。总体而言，该器件适用于对成本、体积和性能有综合考量的通用去耦与滤波场合。

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　　 "GRM21BR71E226KA93L",
　　 "CL21A226MPQNNNE",
　　 "C2012X5R1E226K125AE",
　　 "EMK212B71E226KG-T"
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