型号：CBC2016T680K
　　制造商：华新科（Walsin）
　　封装/尺寸：0805（2016公制）
　　电容值：68pF
　　容差：±10%（K）
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R（EIA）
　　温度系数：±15%，-55°C 至 +125°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC ≥ 500s（取较大者）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30/38标准
　　焊接方式：回流焊（推荐曲线符合J-STD-020）
　　产品等级：工业级
　　是否无铅：是（符合RoHS）

CBC2016T680K所采用的X7R型介电材料是一种以钡钛酸盐为基础的陶瓷配方，具备优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化率不超过±15%。这一特性使其相较于Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的材料更为可靠，尤其适用于需要长期稳定运行的电路设计。X7R介质还具有较低的老化速率（通常每年约2.5%以内），确保器件在长时间使用过程中性能衰减可控。
　　该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高电容密度。内电极为镍（Ni）或铜（Cu）金属材料，经过高温共烧工艺形成坚固的整体结构，从而提升了机械强度和热循环耐久性。这种结构也有效降低了等效串联电感（ESL），使器件在中高频段仍能维持良好的阻抗特性，适合用于去耦和噪声抑制场景。
　　尺寸方面，2016（0805）封装在保证一定焊接可靠性的前提下实现了较高的组装密度，非常适合现代紧凑型电子产品布局。该器件支持自动化贴片生产，兼容标准SMT工艺流程，包括钢网印刷、贴片机放置和回流焊接。其端电极采用三层电镀结构（铜/镍/锡），增强了抗腐蚀能力和可焊性，避免因银迁移导致的短路风险。
　　电气性能上，CBC2016T680K在额定电压下的漏电流低，绝缘电阻高，能够满足大多数模拟和数字电路中的旁路需求。同时，其电压系数相对温和，即在接近额定电压时电容值下降幅度较小，优于某些高K值介质材料的产品。这使得它在电源轨去耦或跨级耦合应用中表现更加一致和可预测。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（T/C）、耐焊接热等项目，确保在复杂环境条件下长期工作的稳定性。作为主流品牌华新科的产品，CBC2016T680K在全球供应链中具有较高的供货稳定性和性价比优势，被广泛用于各类中高端电子设备的设计中。

CBC2016T680K因其稳定的电气性能和适中的参数规格，广泛应用于多种电子电路中。在电源管理单元中，常用于IC供电引脚的去耦，有效滤除开关噪声和瞬态干扰，提高电源纯净度。例如，在DC-DC转换器、LDO稳压器或微处理器周围布置此类电容，可显著降低高频纹波对敏感电路的影响。
　　在模拟信号链路中，该电容器可用于交流耦合（AC coupling），隔离直流分量的同时传递交流信号，常见于音频放大器、运算放大器输入输出级以及传感器信号调理电路中。由于X7R材料具备较好的线性度和较低失真，不会明显引入非线性误差，因此适合用于精度要求较高的模拟前端设计。
　　在射频与无线通信模块中，尽管68pF容量不适用于功率放大器匹配网络，但在中低频段的LC谐振电路、滤波器或阻抗匹配网络中仍可发挥作用。配合电感元件构成带通或低通滤波结构，有助于抑制杂散发射或接收带外干扰。
　　此外，该器件也常用于时钟线路的噪声抑制、复位电路的延时设定、以及EMI/EMC整改中的旁路处理。工业控制设备、医疗电子、汽车电子（非动力域）和消费类电子产品（如智能手机、平板、智能家居设备）均可能采用此类电容进行信号完整性优化。
　　由于其符合RoHS标准并具备良好的环境适应性，CBC2016T680K也可用于出口型产品或需通过国际安规认证的设备中。对于需要替代钽电容或铝电解电容的小容量去耦场合，该MLCC提供了一种更可靠、寿命更长的解决方案。

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　　 "C2016X7R1H680K",
　　 "GRM21BR71H680KA01",
　　 "CL21A680KBANNNC",
　　 "CC0805KRX7R9X680",
　　 "ECJ-2VB1H680K"
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