型号：CBC020
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：7.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：380pF @ Vds=10V
　　输出电容（Coss）：110pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快速恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23/SOT-323

CBC020采用先进的沟槽型MOSFET技术，具备极低的导通电阻，典型值在Vgs=4.5V时仅为35mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。尤其在电池供电设备中，如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备等，这种低Rds(on)特性有助于延长续航时间。此外，该器件在Vgs=2.5V时仍能实现45mΩ的导通电阻，表明其具有良好的低压驱动能力，能够兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器驱动，简化了系统设计。
　　CBC020的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为5nC，这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较少，进一步降低了开关损耗并提升了转换效率。结合其较小的输入和输出电容（Ciss和Coss分别为380pF和110pF），该器件非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流电路和负载开关等场合。低电容特性也有助于减少噪声干扰和电磁辐射，提升系统的EMI性能。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表现出良好的热稳定性与环境适应性，可在严苛的工业环境中可靠运行。同时，其封装形式为小型化的SOT-23或SOT-323，具有良好的散热性能和焊接可靠性，便于自动化贴片生产，适用于大规模量产。此外，CBC020通过了多项国际可靠性认证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试（TC），确保在长期使用中的稳定性和耐久性。

CBC020广泛应用于各类低电压、中等电流的开关与电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的电池保护电路和负载开关，用于控制电池对不同模块的供电通断，防止过流与短路。在DC-DC升压或降压转换器中，它常作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管以提高转换效率。此外，在LED驱动电路中，CBC020可用于恒流控制或开关调光功能，实现精准的亮度调节。在电机驱动应用中，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该器件凭借其快速开关能力和低导通电阻，能够有效降低发热并提升响应速度。其他应用场景还包括USB电源开关、热插拔控制、传感器电源管理、无线充电模块以及各类IoT终端设备的电源控制单元。得益于其小型封装和高可靠性，CBC020特别适合空间受限且对功耗敏感的设计需求。

Si2302DDS-T1-E3
　　AO3400