电容值：470pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　绝缘电阻：≥50GΩ·μF
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.1%
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CB2518T471KV 所采用的C0G（NP0）陶瓷介质材料赋予了其卓越的电气稳定性，这是其最显著的技术优势。C0G材料是一种Class I型陶瓷，具有极低的介电常数温度系数，通常在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着在整个温度区间内，电容值的漂移几乎可以忽略不计，非常适合用于对频率稳定性和相位一致性要求极高的应用场景，例如射频匹配网络、晶振负载电容、高精度滤波器和精密振荡电路。此外，该电容器的容差控制在±10%，相较于常见的±20%容差产品，能够提供更高的精度，减少因元件离散性带来的系统调试难度。
　　该器件的介质损耗极低，典型值tanδ ≤ 0.1%，这使其在高频应用中表现出优异的能量效率和信号保真度，不会引入额外的噪声或相位失真。同时，由于C0G材料的非铁电特性，其电容值不随施加的交流或直流电压变化而发生明显改变，即无电压依赖性，这一点与X7R、X5R等高介电常数但非线性的陶瓷电容形成鲜明对比。在高压偏置条件下，X7R类电容可能损失高达50%以上的标称容量，而CB2518T471KV则始终保持稳定的电容性能。
　　机械结构方面，该MLCC采用多层叠片式设计，在保证小型化的同时实现了可靠的电气连接。端电极经过三层电镀处理（内电极-镍阻挡层-锡外层），增强了抗热冲击能力和焊接可靠性，适合自动化贴片生产和高温回流焊工艺。其绝缘电阻高达50GΩ·μF以上，漏电流极小，适用于高阻抗电路和微弱信号处理场合。此外，该器件具备出色的抗老化性能，电容值不会随时间推移而衰减，确保系统长期运行的稳定性。整体而言，CB2518T471KV 是一款高性能、高可靠性的精密陶瓷电容器，特别适用于对环境适应性和电气精度有严格要求的设计场景。

CB2518T471KV 凭借其优异的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于各类高精度和高频电子系统中。在射频（RF）电路中，它常用于LC谐振回路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐电路，作为关键的频率设定元件，确保信号传输的高效与稳定。由于其电容值不受温度波动影响，因此在基站模块、无线收发器、蓝牙和Wi-Fi模组中发挥着重要作用。在时钟和定时电路中，该电容器常用作石英晶体振荡器的负载电容，配合晶振实现精确的频率输出，广泛应用于微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）和通信接口（如UART、SPI、I2C）的时序控制中。
　　在模拟信号链设计中，CB2518T471KV 可用于高精度有源滤波器、积分器、采样保持电路和传感器信号调理前端，其低漏电和高绝缘特性有助于维持微弱信号的完整性，避免因电容漂移导致的测量误差。此外，在医疗电子设备、测试测量仪器和工业自动化控制系统中，该器件也因其长期稳定性而被优先选用。在电源管理电路中，虽然其容量较小，但仍可用于高频去耦和噪声抑制，尤其是在对稳定性要求高于容量需求的敏感模拟供电节点。汽车电子领域中，该电容器可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元，满足AEC-Q200对被动元件的可靠性要求。总之，凡是对电容稳定性、频率响应和环境适应性有较高要求的应用，CB2518T471KV 都是一个理想的选择。

CC0805JRNPO9BN471
　　GRM21BR71H471KA01L
　　CL21A471JBANNNC
　　C2012X5R1H471KT
　　EMK212B7HG471KG-T