型号：CB2016T100M
　　类型：石英晶体谐振器
　　封装尺寸：2016（2.0×1.6mm）
　　标称频率：100.000MHz
　　频率公差（25℃）：±10ppm / ±20ppm（可选）
　　工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　负载电容：8pF / 10pF / 12pF / 18pF（依具体版本而定）
　　激励功率：≤100μW
　　等效串联电阻（ESR）：≤40Ω
　　老化率（第一年）：≤±3ppm
　　引脚数量：2
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　基频模式：基频（Fundamental Mode）
　　切割方式：AT切

CB2016T100M作为一款高频微型贴片晶振，具备多项关键性能优势，能够满足现代电子系统对时钟精度与可靠性的严苛要求。首先，其采用高品质石英晶体材料与精密光刻工艺制造，确保了频率输出的高度稳定性和极低的相位抖动，这对于高速数据传输、射频同步以及精密计时应用至关重要。在温度适应性方面，该器件表现出优异的频率-温度特性，在-40℃至+85℃的工作温度范围内，频率偏差控制在标称公差之内，适合部署于环境变化剧烈的工业与户外设备中。
　　其次，CB2016T100M的小型化2016封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了寄生参数，提升了高频工作的稳定性。该封装结构采用陶瓷底座与金属盖密封技术，有效防止湿气、灰尘和机械应力对内部晶片的影响，从而增强了器件的抗干扰能力和长期耐久性。此外，其低等效串联电阻（ESR）有助于降低振荡电路的启动难度，提高起振速度和运行可靠性，尤其适用于低功耗设计或电池供电设备。
　　在电气性能上，该晶振支持多种负载电容配置（如8pF、10pF、12pF、18pF），用户可根据主控芯片的振荡器电路要求灵活匹配外围电容，实现最佳频率精度。同时，激励功率被严格限制在100μW以下，避免因过驱动导致晶片老化加速或频率漂移，延长使用寿命。器件的老化率控制在每年不超过±3ppm，确保长时间运行后仍能维持高精度时钟输出。
　　CB2016T100M还通过了多项国际认证，符合RoHS环保指令和无铅焊接工艺要求，支持回流焊和波峰焊等多种组装方式，便于自动化生产。其高一致性的批量生产能力也降低了客户在供应链管理上的风险，是替代传统较大封装晶振的理想选择。整体而言，该器件在尺寸、性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，适用于追求高性能与紧凑设计的现代电子产品。

CB2016T100M高频贴片晶振广泛应用于需要高精度时钟源的各类电子系统中。在无线通信领域，它常用于Wi-Fi模块、蓝牙模组、ZigBee收发器以及蜂窝通信设备中，为射频芯片和基带处理器提供稳定的参考频率，保障信号调制解调的准确性与时序同步。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机，该晶振为应用处理器、音频编解码器和传感器中枢提供时钟基准，支持多任务并行处理与低延迟响应。
　　在工业控制与自动化系统中，CB2016T100M被集成于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和传感器节点中，确保实时操作系统（RTOS）和通信协议栈（如Modbus、CAN、Ethernet）的精准运行。其高稳定性也使其适用于测试测量仪器，如示波器、逻辑分析仪和频率计，作为内部时基发生单元的核心元件。
　　此外，在物联网（IoT）终端设备中，例如智能家居网关、远程抄表装置和环境监测节点，该晶振为MCU和无线SoC提供可靠的主时钟，支持长时间低功耗运行下的精确唤醒与数据上报。在汽车电子方面，尽管该型号非车规级AEC-Q200认证产品，但仍可用于车载信息娱乐系统的非关键时钟电路或后装市场设备中。
　　由于其100MHz的高频输出，CB2016T100M特别适合用于需要高速数据处理的应用，如USB高速接口、以太网PHY芯片、FPGA配置时钟以及DDR内存控制器的参考时钟源。总体来看，该器件凭借其小型化、高频率、高稳定性等优点，已成为众多高端电子设备中不可或缺的关键元器件。

ABLS-2016-100.000MHZ-D4Y-T
　　EPSON X1E000021119500
　　NDK NX2016SA-100.000MHz
　　Tai-Saw ST2016B-100M