型号：CB2012T3R3M
　　品牌：Sunlord（顺络电子）
　　封装尺寸：2012（2.0mm x 1.2mm）
　　高度：1.0mm
　　电感值：3.3μH
　　电感公差：±20%
　　额定电流（Idc）：具体值需查阅数据手册，典型值约为数百毫安
　　直流电阻（DCR）：典型值低于200mΩ（随批次略有差异）
　　自谐振频率（SRF）：一般大于30MHz，具体取决于测试条件
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　磁屏蔽类型：有屏蔽，低漏磁设计
　　端电极结构：Ni/Sn镀层，符合RoHS环保要求
　　焊接方式：回流焊（推荐峰值温度不超过260°C）

CB2012T3R3M作为一款高性能的小型化功率电感，具备优异的电气与机械特性。首先，其采用多层陶瓷与金属内电极交错堆叠的制造工艺，结合高温共烧技术（HTCC或LTCC类似工艺改进版），实现了在微小体积下的高电感密度和良好的热稳定性。这种结构不仅提升了单位体积内的能量存储能力，还显著降低了因温升导致的性能衰减。其次，该电感器具有较低的直流电阻（DCR），有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，特别适用于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等对能效要求较高的应用场景。
　　另一个重要特性是其出色的抗饱和能力。CB2012T3R3M在施加直流偏置电流时，电感值下降缓慢，表现出较强的电流承载能力和稳定性。这意味着在DC-DC降压或升压电路中，即使负载电流发生波动，电感能够维持较平稳的储能与释放过程，从而保障输出电压的稳定性和动态响应速度。此外，由于采用了磁屏蔽设计，该电感器对外部的磁场泄漏极小，有效避免了邻近元件之间的电磁干扰，提升了PCB布局的灵活性和系统的整体EMC性能。
　　在环境适应性方面，CB2012T3R3M通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿储存、温度循环、机械冲击和振动试验，确保在复杂工况下长期可靠运行。其端电极为双层金属化结构（如铜/镍/锡），具备优良的可焊性和耐腐蚀性，适用于自动化贴片生产线，并支持无铅回流焊接工艺，符合现代绿色电子制造的标准。同时，产品符合AEC-Q200等可靠性标准的部分要求，可用于工业级和部分车载类应用场合。总体而言，CB2012T3R3M凭借其紧凑尺寸、高效能、低损耗和高可靠性，成为现代高集成度电源模块中的理想选择。

CB2012T3R3M主要用于各类需要小型化、高效能功率电感的电子电路中。最常见的应用领域包括移动通信设备，如智能手机、平板电脑和智能手表等，在这些设备的电源管理系统中，该电感常用于DC-DC转换器的输出滤波环节，帮助实现高效的电压调节与噪声抑制。此外，在射频模块和基带处理单元的电源去耦电路中，CB2012T3R3M也能发挥良好的滤波作用，降低电源纹波对敏感模拟电路的影响。
　　在消费类电子产品中，如无线耳机、智能家居控制面板、便携式医疗设备等，CB2012T3R3M因其小尺寸和高可靠性而被广泛采用。特别是在空间受限的设计中，其1.0mm的低剖面结构使得主板布局更加灵活，有利于实现超薄化设计目标。同时，该电感也适用于各类嵌入式控制系统，例如微控制器（MCU）的VCC供电滤波、传感器模块的稳压电源滤波以及LED驱动电路中的储能元件。
　　在工业控制和汽车电子领域，尽管CB2012T3R3M主要定位为消费级产品，但在非严苛环境下也可用于辅助电源模块或信息娱乐系统的低压供电回路。例如，在车载导航仪、行车记录仪或车载监控设备中，该电感可用于12V转5V或5V转3.3V的降压电路中，提供稳定的能量传输路径。此外，由于其具备一定的抗振动和耐温性能，配合合理的PCB设计和防护措施，可在较宽温度范围内保持正常工作。
　　值得一提的是，CB2012T3R3M还可用于电源管理IC（PMIC）外围电路中，配合LDO或开关稳压器构成完整的电源解决方案。在电池充电管理电路中，它可作为储能元件参与升压或降压拓扑结构，提升充电效率并减少发热。综上所述，CB2012T3R3M凭借其综合性能优势，广泛服务于消费电子、通信设备、工业自动化及部分车载电子系统等多个领域。

SLF2012T-3R3M
　　XFL2012T-3R3M
　　DLW21HN3R3XK