时间：2025/12/26 1:20:06
阅读：20
CB08YTYH132是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道MOSFET，采用紧凑型表面贴装封装，适用于多种电源管理和功率开关应用。该器件设计用于在低电压和中等电流条件下提供高效的开关性能，具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功耗并提高系统效率。CB08YTYH132广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及各类嵌入式控制系统中。其封装形式为SOT-23，具有良好的热性能和电气隔离特性，适合高密度PCB布局。该MOSFET在栅极驱动方面兼容标准逻辑电平，能够直接由微控制器或其他数字信号源驱动，简化了电路设计。此外，CB08YTYH132还具备一定的静电放电（ESD）保护能力，增强了器件在实际使用中的可靠性。
型号：CB08YTYH132
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-400mA
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（典型值，@ VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.8V 至 -1.5V
输入电容（Ciss）：75pF（典型值）
开启延迟时间（td(on)）：12ns
关断延迟时间（td(off)）：25ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
CB08YTYH132 P沟道MOSFET具备出色的开关特性和低导通损耗，是许多低功耗电源管理应用的理想选择。其核心优势之一在于极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时，RDS(on)的典型值仅为65mΩ，这意味着在传输相同电流的情况下，器件上的压降和功率损耗显著降低，从而提升了整体系统的能效表现。这对于依赖电池供电的移动设备尤为重要，因为它可以直接延长设备的续航时间。同时，由于导通损耗小，产生的热量也较少，有助于简化散热设计，甚至在多数情况下无需额外的散热措施。
该器件的栅极驱动特性使其能够与常见的3.3V或5V逻辑输出直接接口，无需额外的电平转换电路。其阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保在较低的负向栅源电压下即可实现充分导通，提高了控制灵活性。输入电容仅为75pF左右，意味着所需的驱动电荷较小，进一步降低了驱动电路的负担，并加快了开关速度。开启和关断延迟时间分别约为12ns和25ns，表现出快速的动态响应能力，适用于高频开关场景。
SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散发工作过程中产生的热量。该封装还符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。CB08YTYH132在制造过程中采用了成熟的硅基工艺技术，保证了器件的一致性和长期可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣的环境温度条件下稳定运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。
CB08YTYH132常用于便携式电子设备中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池管理模块；也可作为DC-DC转换器中的同步整流开关或负载开关使用；适用于需要低电压、小电流控制的嵌入式系统、传感器供电管理、LED驱动电路以及各类逻辑电平切换场合。
SI2302DDS-T1-E3
