时间：2025/12/26 0:58:16
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CB06YTYN250是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET?技术制造，专为高效率、高性能的电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK? SC-70（SOT-323）封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限且对功耗敏感的便携式电子设备。CB06YTYN250在4.5V的栅源电压下具有较低的RDS(on)值，确保在低压驱动条件下仍能实现高效开关操作。其优化的晶圆工艺和封装设计使其具备良好的电流处理能力和快速的开关响应，适合用于负载开关、电池管理、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。
该MOSFET支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V的数字控制器输出，便于集成到现代低电压控制系统中。此外，器件具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态过压条件下的可靠性。CB06YTYN250符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于消费类电子产品、工业控制模块和通信设备中的高密度电源设计。
型号：CB06YTYN250
制造商：Vishay Siliconix
产品类型：MOSFET
通道类型：N沟道
漏源电压(VDS)：25V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：2.8A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：11A
导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = 2.5V
阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
输入电容(Ciss)：290pF @ VDS = 10V
输出电容(Coss)：110pF @ VDS = 10V
反向恢复时间(trr)：14ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SC-70 (SOT-323)
CB06YTYN250采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，显著降低了导通损耗和整体功耗。该器件在VGS = 4.5V时RDS(on)仅为35mΩ，在低电压驱动条件下仍能保持高效的能量转换效率，特别适合用于电池供电设备中以延长续航时间。其低阈值电压（典型值1.0V）允许使用低电平逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省PCB空间。
得益于PowerPAK? SC-70封装的小尺寸（仅2.0mm × 1.25mm × 0.95mm），CB06YTYN250非常适合高密度贴装的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的电源开关或负载切换模块。该封装还具备良好的热传导性能，能够有效将芯片热量传递至PCB，提升长期运行的稳定性。
该MOSFET具有出色的电容特性，输入电容Ciss仅为290pF，有助于减少驱动电路的功耗，并加快开关速度，从而降低开关损耗。同时，较短的反向恢复时间（trr = 14ns）减少了体二极管在同步整流等应用中的反向恢复电荷，避免了不必要的电流尖峰和电磁干扰问题，提升了系统的整体效率和EMI表现。
CB06YTYN250还具备较高的雪崩耐量和坚固的栅氧层设计，能够在瞬态过压、电感负载突变等恶劣工况下保持可靠运行，增强了电源系统的鲁棒性。所有生产流程均符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，虽非车规型号，但其质量控制体系保障了产品的一致性和长期可靠性，广泛应用于工业、消费电子及通信领域。
CB06YTYN250广泛应用于各类需要小型化、高效率功率开关的电子系统中。典型用途包括便携式设备中的电池供电管理，例如作为主电源开关或外设电源门控元件，用于控制显示屏、摄像头模组或无线模块的供电通断，从而实现节能待机或热插拔功能。在DC-DC转换器拓扑结构中，该器件可用作同步整流开关，特别是在降压（Buck）变换器中替代肖特基二极管，大幅提高转换效率并减少发热。
此外，CB06YTYN250适用于电机驱动电路中的低端开关，驱动微型直流电机或步进电机，常见于智能家电、电动玩具和小型机器人系统中。由于其具备良好的开关响应和低驱动需求，也可用于LED背光驱动或恒流源控制电路中，实现精确的亮度调节。
在热插拔和负载切换应用中，该MOSFET凭借其低导通电阻和快速响应能力，可有效抑制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。它还常被用于USB端口的电源控制，满足USB On-The-Go或移动设备充电管理的需求。
得益于其小封装和高可靠性，CB06YTYN250也适用于工业传感器模块、IoT节点设备和无线通信模块等对空间和功耗极为敏感的设计中，是现代低电压、高集成度电源架构中的理想选择。
SI2302-CXS
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