时间：2025/12/26 0:06:16
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CB05YTYN202-1是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET，采用紧凑型表面贴装封装（PowerPAK SO-8L），适用于高效率电源管理应用。该器件设计用于在低电压和中等电流条件下提供优异的开关性能和导通特性，广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动电路中。CB05YTYN202-1的关键优势在于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），这有助于减少开关损耗并提高系统整体能效。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。其Rds(on)典型值在4.7mΩ左右（Vgs = 10V时），能够有效降低导通期间的功率损耗，适合对功耗敏感的应用场景。器件符合RoHS环保标准，并具有无卤素版本可选，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。由于其高性能与小尺寸封装的结合，CB05YTYN202-1成为空间受限但需要高效能表现的设计中的理想选择之一。
型号：CB05YTYN202-1
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：19A（Ta=25°C）
导通电阻Rds(on)：4.7mΩ（@ Vgs=10V, Id=10A）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
输入电容（Ciss）：1350pF（@ Vds=15V）
反向恢复时间（trr）：未内置快恢复二极管
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8L
安装类型：表面贴装（SMD）
CB05YTYN202-1具备出色的电气特性和热性能，使其在中低压功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻Rds(on)确保了在大电流条件下仍能维持较低的导通损耗，这对于提升电源转换效率至关重要，尤其是在电池供电设备中，有助于延长续航时间。该器件的低栅极电荷（Qg typ. 15nC @ Vgs=10V）显著降低了驱动电路所需的能量，减少了开关过程中的动态损耗，从而提高了高频开关应用下的整体效率。同时，其输入电容和输出电容较小，进一步优化了开关速度与EMI性能之间的平衡。
另一个关键特性是其优异的热管理能力。PowerPAK SO-8L封装采用无引线设计，底部带有裸露焊盘，可直接连接至PCB上的散热区域，实现高效的热量传导。这种结构大大降低了热阻（典型θJA约为40°C/W），使器件即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度，提升了长期运行的可靠性。此外，该MOSFET具有较高的雪崩耐量，能够在瞬态过压事件中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
CB05YTYN202-1还具备良好的栅极氧化层可靠性，经过严格测试以确保在±20V栅源电压范围内的稳定操作，防止因驱动信号波动导致的器件损坏。其阈值电压范围适中，兼容常见的逻辑电平驱动信号（如3.3V或5V），便于与微控制器或专用驱动IC配合使用。总体而言，这些特性使得CB05YTYN202-1不仅适用于常规开关电源，还能胜任要求严苛的工业控制、汽车电子辅助系统及便携式医疗设备等多种应用场景。
CB05YTYN202-1广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压变换器，其中它作为下管或上管参与能量转换过程，利用其低Rds(on)和快速开关特性来提升转换效率。在负载开关电路中，该MOSFET可用于控制电源路径的通断，实现对子系统的上电时序管理或节能模式切换，常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等移动设备的电源架构中。
此外，CB05YTYN202-1也适用于电机驱动应用，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够精确控制电机启停与方向切换。在热插拔控制器和OR-ing二极管替代方案中，该器件可作为理想二极管使用，避免传统肖特基二极管的正向压降带来的功率损失，从而提升系统能效。
由于其符合AEC-Q101可靠性标准的部分等级要求，CB05YTYN202-1也可用于汽车电子中的非动力总成系统，如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理单元等。同时，其紧凑的PowerPAK SO-8L封装非常适合空间受限的高密度PCB布局，支持自动化贴片生产，适用于大规模量产环境。无论是消费类电子产品还是工业控制系统，CB05YTYN202-1都能提供稳定可靠的功率开关解决方案。
SI7850DP-T1-E3
BSC059N03LSG
