型号：CB04YTYN501
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS = 10V, ID = 2.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 2.2A
　　栅极电荷（Qg）：5.8nC @ VGS = 10V
　　输入电容（Ciss）：400pF @ VDS = 15V
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装

CB04YTYN501采用了Vishay先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著降低了导通电阻并提升了单位面积下的电流处理能力。由于其低RDS(on)，该器件在高频率开关应用中表现出更低的传导损耗，从而提高了整体能效。尤其是在电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和便携式医疗仪器，这种低功耗特性至关重要。该MOSFET的栅极驱动电压兼容性良好，可在4.5V至10V之间有效工作，支持直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，简化了电路设计并减少了外围元件数量。
　　TrenchFET工艺还带来了更小的芯片尺寸和更高的集成度，使得CB04YTYN501能够在紧凑型封装内实现优异的电气性能。SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，广泛用于现代电子产品的大规模制造。该器件具有较低的输入电容和栅极电荷，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升开关电源、DC-DC转换器等应用中的效率。同时，其快速的开关响应时间也使其适用于高频PWM控制场合，例如LED背光驱动或电机控制。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装的散热能力有限，但CB04YTYN501通过优化内部结构和材料选择，在额定电流下仍能维持较低的温升。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的可靠运行，适用于工业控制、汽车电子辅助系统等严苛应用场景。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗ESD能力，增强了系统的鲁棒性。总体而言，CB04YTYN501是一款高性能、小尺寸、低功耗的MOSFET解决方案，适用于对空间和能效有严格要求的现代电子设计。

CB04YTYN501广泛应用于各类低电压、高效率的功率开关场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同模块的电源通断以实现节能管理。在DC-DC转换器中，它可作为同步整流器或主开关管，提高转换效率并减小整体体积。此外，该器件适用于电池管理系统（BMS），用于充放电回路的通断控制，保障电池安全运行。
　　在消费类电子产品中，CB04YTYN501可用于USB电源开关、移动电源、无线耳机充电盒等设备中，实现高效的电源路径管理。其低导通电阻和快速响应特性也使其成为LED驱动电路的理想选择，特别是在需要调光功能的背光或照明系统中表现优异。
　　工业领域中，该MOSFET可用于传感器电源控制、继电器驱动、小型电机控制以及PLC输入输出模块中的开关元件。在通信设备中，常用于电源轨切换、热插拔保护电路和信号路由控制。由于其具备良好的高频响应能力和稳定性，也可用于射频功率放大器的偏置控制或天线切换电路。
　　此外，CB04YTYN501还可用于汽车电子中的非关键性低压控制电路，如车载信息娱乐系统的电源管理、车内照明控制或传感器供电模块。其小型封装有利于在密集布板的车载PCB上实现高密度布局。总之，该器件凭借其高性能与小型化优势，适用于各种需要高效、可靠且空间受限的功率开关应用。

SI2302DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDC630N