产品型号：CB03YTYN400
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　产品类型：MOSFET
　　技术类型：TrenchFET?
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：26A
　　脉冲漏极电流IDM：100A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=10V：4.7mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS=4.5V：6.2mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷Qg typ：9nC @ VDS=15V, ID=13A
　　输入电容Ciss typ：780pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　功率耗散PD：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8

CB03YTYN400采用Vishay先进的TrenchFET?技术，这是一种基于深槽刻蚀工艺的垂直结构MOSFET制造技术，能够显著提高单位面积下的载流能力，并有效降低导通电阻。该器件在VGS=10V时的最大RDS(on)仅为4.7mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用中能够大幅减少导通损耗，提升系统能效。同时，在较低的驱动电压如4.5V下，其RDS(on)仍可维持在6.2mΩ以内，满足现代低压逻辑控制器直接驱动的需求，无需额外的电平转换或高电压驱动电路。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg典型值为9nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低了驱动IC的负担并减少了开关损耗。特别是在高频工作的DC-DC变换器中，低Qg有助于实现更高的转换效率和更小的散热设计。此外，其米勒电荷（Qsw）也经过优化，有效抑制了开关过程中的振荡和误触发现象，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　PowerPAK SO-8封装是一种无引线表面贴装封装，具有优异的热传导性能和电流承载能力。相比传统SO-8封装，它去除了内部连接线，通过底部裸露焊盘将热量直接传递到PCB，显著改善了热阻表现，允许器件在更高功率下持续运行。该封装符合RoHS环保标准，并支持自动光学检测（AOI），便于在SMT产线中进行质量控制。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境条件下稳定工作，适用于工业级和消费类多种应用场景。内置的体二极管具有快速恢复特性，能够在同步整流等应用中提供良好的反向续流路径，进一步增强系统鲁棒性。总体而言，CB03YTYN400是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合对空间、效率和热管理有严格要求的设计需求。

CB03YTYN400广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，常用于电池电源管理、负载开关及DC-DC降压转换器的同步整流部分，利用其低导通电阻和高开关速度来延长续航时间并减小发热。在服务器和通信设备的主板电源模块中，该器件可用于多相电压调节器（VRM）设计，支持处理器核心供电的动态调压需求。
　　在LED照明驱动电源中，CB03YTYN400可用作主开关管或同步整流管，提高电源转换效率，满足能源之星等能效标准。此外，在电动工具、无人机和小型电机控制系统中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，实现精确的速度和方向控制。
　　由于其优异的热性能和紧凑封装，CB03YTYN400也非常适合空间受限的应用场景，例如超薄电视电源板、嵌入式工控主板和PoE（以太网供电）受电设备中的隔离式电源次级侧整流。在汽车电子领域，尽管非车规级，但仍可用于部分辅助电源系统原型开发或低电压车载配件中。
　　此外，该器件还可用于USB PD快充适配器、无线充电发射端的功率级电路，以及各类AC-DC和DC-DC电源模块中作为关键开关元件，帮助实现小型化、高效率的电源设计方案。其稳定的电气特性和成熟的生产工艺使其成为工程师在中低功率电源设计中的优选器件之一。

SiR142DP,TMN3302L,SZ3404DI