您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CAY10-150J4

CAY10-150J4 发布时间 时间:2025/12/29 10:44:35 查看 阅读:10

CAY10-150J4 是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换、功率开关以及工业和消费类电子设备中的电力管理应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高频率下稳定工作,适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动以及电池管理系统等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):10mΩ(典型值)
  最大功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

CAY10-150J4 MOSFET具有多项优异特性,首先其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。在100V的漏源电压下,能够持续承载高达150A的漏极电流,适用于高功率密度设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,确保了在高开关频率下的性能稳定性,同时降低了开关损耗。
  此外,CAY10-150J4具备出色的热稳定性,能够在高温环境下正常工作,增强了系统在恶劣条件下的可靠性。其封装形式为TO-263(D2PAK),具备良好的散热性能,便于安装在PCB上并实现自动化生产。该MOSFET还内置了静电放电(ESD)保护结构,提高了器件在操作和组装过程中的抗静电能力,降低了损坏风险。
  在驱动特性方面,该器件的栅极电荷(Qg)较低,使得其在高频开关应用中对驱动电路的要求更低,有助于简化外围电路设计并降低整体成本。此外,CAY10-150J4的栅源电压范围为±20V,提供了更高的设计灵活性,允许使用多种驱动器方案进行控制。

应用

CAY10-150J4广泛应用于多种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及新能源设备如太阳能逆变器和储能系统等。在电动汽车和充电桩系统中,该MOSFET可用于高压直流变换和能量管理模块。此外,它也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品,如高性能笔记本电脑电源适配器和大功率LED照明系统。

替代型号

SiHF150N100D、FDP150N10A、Infineon IPP150N10N3 G、STP150N10F7

CAY10-150J4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CAY10-150J4资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CAY10-150J4参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类电阻器网络与阵列
  • 产品类型Arrays
  • 电路类型Isolated
  • 电阻器数量4
  • 电阻数值15 Ohms
  • 容差5 %
  • 温度系数250 PPM / C
  • 管脚数量10
  • 封装 / 箱体0804
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 尺寸2 mm W x 2 mm L x 0.35 mm H
  • 端接类型SMD/SMT
  • 封装Reel
  • 每元件功率125 mWatts
  • 系列CAY10
  • 工厂包装数量10000