时间：2025/7/16 10:22:37
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CAT869STBI-G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 N 沟道增强型技术设计，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
该器件具有低导通电阻和快速开关能力，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。同时，其封装形式为 TO-220FP，具备良好的散热性能，适合在较高功率的应用场合中使用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：2.8Ω
栅极阈值电压：4V
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
功耗：185W
CAT869STBI-G 的核心特点是其高压性能与高效的功率转换能力。以下是详细描述：
1. 高耐压能力：器件的最大漏源电压高达 650V，使其适用于各种高压应用场景，例如工业级开关电源和逆变器。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为 2.8Ω，在大电流条件下可显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能：由于采用了先进的 MOSFET 技术，该器件具备较低的开关损耗和较短的开关时间，从而提高了整体系统的效率。
4. 强大的散热设计：TO-220FP 封装提供出色的热传导性能，确保器件在高负载情况下仍能稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的结温范围，适应各种极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准：环保设计，满足国际法规要求。
CAT869STBI-G 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主功率开关，实现高效的直流-直流或交流-直流转换。
2. 电机驱动：用于控制步进电机、无刷直流电机以及其他类型电机的速度和方向。
3. 工业逆变器：在光伏逆变器和其他工业逆变器中用作功率开关。
4. LED 驱动：为高亮度 LED 提供稳定的电流输出。
5. 其他电力电子设备：如 UPS 系统、电池充电器等需要高效率和高压操作的场景。
IRF840A, FQP13N60, STP12NM60
