时间：2025/7/10 2:30:52
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CAT811MTBI-GT3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 ESD（静电放电）保护二极管阵列。该器件专为高速信号线提供强大的瞬态电压抑制功能而设计，能够有效保护电子设备免受静电放电、雷击和其他瞬态电压的损害。
其封装形式为 GT3，适用于各种消费类电子产品、通信设备和工业应用中对高带宽信号线的保护需求。
工作电压：±8kV（接触放电），±15kV（空气放电）
最大箝位电压：14.2V
动态电阻：≤0.7Ω
电容：0.4pF
反向漏电流：≤1μA
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CAT811MTBI-GT3 具有低电容特性，使其非常适合用于高速数据线的保护，例如 USB 3.0、HDMI 和其他高频信号接口。
其低动态电阻确保了在发生 ESD 事件时能够迅速有效地将瞬态电流引导到地，从而最大限度地减少对敏感电路的损害。
此外，该器件支持高重复浪涌能力，能够在多次 ESD 冲击后仍保持性能稳定。其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中使用。
主要特点包括：
- 提供 ±8kV 接触放电和 ±15kV 空气放电保护
- 高速数据线兼容
- 小尺寸封装
- 工业级温度范围
- 符合 RoHS 标准
CAT811MTBI-GT3 广泛应用于需要保护高速信号线免受 ESD 损害的场景，具体包括：
- 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的 USB、HDMI 和 MIPI 数据线保护
- 计算机外设（如键盘、鼠标和 USB 集线器）的接口保护
- 工业控制设备中的通信端口保护
- 网络设备（如路由器、交换机）中的以太网端口保护
- 汽车电子系统中的高速 CAN 总线保护
CAT811BMTD-GT3, PESD8V0S1BA
