CAT524J是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道MOSFET晶体管。该器件采用TO-263封装形式,广泛用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用中。CAT524J具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
漏源击穿电压:60V
连续漏极电流:21A
导通电阻:16mΩ
栅极电荷:49nC
输入电容:1380pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
CAT524J具备以下主要特性:
1. 高击穿电压支持高达60V的应用环境。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下为16mΩ,有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
4. 小型化的TO-263封装设计节省了PCB板空间。
5. 工作温度范围宽广,适应极端环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
CAT524J适用于多种领域中的电子电路设计:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动控制,例如直流无刷电机(BLDC)驱动。
3. 负载开关,在便携式设备中实现电源管理。
4. 电池保护及充放电管理系统。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换与控制模块。
IRF540N
STP16NF06L
FDP16N6
IXYS IXFN20N60T2