时间：2025/8/21 7:36:01
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CAT28F010N-90是一款由Catalyst Semiconductor（现属于On Semiconductor）制造的高速CMOS并行EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）芯片，容量为128K x 8位，即总共1Mbit。该器件采用标准的32引脚DIP（双列直插式封装）或TSOP封装，适用于需要非易失性存储器但又需要较快读写速度的应用场景。CAT28F010N-90的工作电压为5V，具备高速访问时间，典型值为90ns，因此适用于需要快速数据存取的系统中。该芯片内部集成了自动写入周期控制、硬件写保护和软件数据保护机制，从而提高了数据写入的可靠性和安全性。
容量：1Mbit (128K x 8)
组织结构：128K地址，每个地址8位
电源电压：5V ±10%
访问时间：90ns（最大）
读取电流：10mA（典型）
待机电流：100μA（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装形式：32引脚DIP或TSOP
写保护功能：硬件WP引脚和软件写保护
编程电压：内部电荷泵，无需高压编程
数据保持时间：100年
擦写次数：10,000次以上
CAT28F010N-90作为一款高性能的并行EEPROM芯片，具备多项显著的技术特性。首先，其高速访问时间为90ns，使得该芯片能够满足对数据读取速度有较高要求的应用，例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。这种高速访问能力确保了微处理器或控制器能够快速读取和写入数据，从而提升系统整体性能。
其次，该芯片支持10,000次以上的擦写周期，具备较高的耐用性，适合需要频繁更新数据的场合。此外，CAT28F010N-90具备硬件写保护（通过WP引脚）和软件写保护机制，防止在系统运行过程中由于误操作或异常情况导致数据被意外修改或擦除，从而提高数据的完整性和系统的稳定性。
该芯片还采用了CMOS工艺制造，具有低功耗特性。在正常读取模式下，电流消耗仅为10mA，而在待机模式下，电流消耗可低至100μA，这使得它非常适合用于功耗敏感的应用场景。此外，其100年的数据保持能力确保数据在长期断电情况下仍然不会丢失，适用于需要高可靠性的存储需求。
CAT28F010N-90广泛支持多种主控接口，兼容标准的SRAM或ROM接口时序，因此可以方便地集成到各种嵌入式系统和控制系统中，而无需额外的接口电路或时序转换逻辑。
CAT28F010N-90因其高速、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电子系统中。典型应用包括工业控制系统中用于存储配置参数、校准数据或固件程序；通信设备中用于存储设备标识、配置信息或日志数据；嵌入式系统中用于非易失性数据存储，例如智能仪表、POS终端、测试设备等。
此外，该芯片也常用于汽车电子系统中，如ECU（电子控制单元）、车载诊断系统（OBD）或车载娱乐系统中，用于存储关键的运行参数和配置信息。由于其具备宽工作温度范围（-40°C至+85°C），CAT28F010N-90也非常适合在恶劣环境条件下运行的设备中使用。
在科研和开发领域，CAT28F010N-90也常用于原型设计和测试，作为临时的非易失性存储解决方案，用于存储程序代码、数据表或校准信息，特别是在需要频繁更新和修改的开发阶段。
AT28C010-90, M28F010B5B-90, W27C010-90
