CAT16-562J8LF 是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于表面贴装器件(SMD)类型,广泛应用于各类电子电路中以提供稳定的电容性能。该器件采用标准的0805封装尺寸(英制),即2.0mm x 1.25mm,适用于高密度印刷电路板布局。其电容值为5600pF(5.6nF),允许在高频和中频电路中有效工作,具备良好的频率响应特性。该电容器的额定电压为100V DC,能够承受一定的瞬态过压,适合在电源去耦、滤波、旁路、阻抗匹配以及信号耦合等应用中使用。CAT16-562J8LF采用X7R温度系数介电材料,意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%,表现出较好的热稳定性。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅及其他有害物质,并具备良好的抗湿性和机械强度,能够在多种环境条件下稳定运行。由于其可靠的电气性能和紧凑的封装形式,CAT16-562J8LF被广泛用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
电容值:5600pF (5.6nF)
容差:±5% (J)
额定电压:100V DC
温度特性:X7R (±15% from -55°C to +125°C)
封装尺寸:0805 (2.0mm x 1.25mm)
端接类型:表面贴装(SMD)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
介质材料:陶瓷(多层)
产品系列:CAT16
包装形式:卷带包装(Tape and Reel)
无铅:是
符合RoHS:是
CAT16-562J8LF所采用的X7R介电材料是多层陶瓷电容器中应用最广泛的类型之一,具有优异的温度稳定性和电容保持能力。在-55°C到+125°C的整个工作温度区间内,其电容值的变化幅度控制在±15%以内,这使得它非常适合用于对电容稳定性要求较高的中等精度模拟电路中,例如LC振荡回路、滤波器设计以及电源管理模块中的去耦应用。相比于Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的材料,X7R在性能与成本之间实现了良好平衡。该器件的5.6nF电容值处于中等偏小范围,既可用于射频电路中的阻抗匹配网络,也可作为中频信号路径中的耦合电容。±5%的容差进一步提升了其在精密电路中的适用性,确保不同批次之间的参数一致性。
该电容器的100V额定直流电压使其能够在多种电源系统中安全运行,包括12V、24V甚至48V供电的工业控制系统。在电源去耦应用中,它可以有效滤除高频噪声,防止干扰信号通过电源线传播至敏感器件。其表面贴装(SMD)封装形式支持自动化贴片工艺,适用于大规模生产,有助于提高组装效率并降低制造成本。0805尺寸在空间占用与焊接可靠性之间取得良好折衷,既比0603更易于处理,又比1206更节省PCB面积。
CAT16-562J8LF具备出色的机械和环境适应性。其结构经过优化,能抵抗热循环引起的应力开裂,减少因PCB弯曲或温度骤变导致的失效风险。此外,器件经过严格的湿度等级测试,适合在回流焊过程中承受高温而不损坏内部层间结构。由于不含铅且符合RoHS指令,该产品可在全球范围内合规使用,满足现代电子产品对环保的严格要求。其高体积效率和长期可靠性使其成为替代传统引线式陶瓷电容的理想选择,在便携式设备、车载电子、医疗仪器等领域均有广泛应用。
CAT16-562J8LF多层陶瓷电容器适用于多种电子电路场景。在电源管理系统中,常用于IC电源引脚的去耦和旁路,有效抑制开关噪声并稳定供电电压,尤其适用于微控制器、FPGA、ADC/DAC等高速数字芯片的电源滤波设计。在模拟信号链路中,该电容可用于构建有源或无源滤波器,如低通、高通或带通滤波器,其稳定的X7R特性保证了滤波截止频率的一致性。在射频和无线通信模块中,5.6nF的电容值可用于阻抗匹配网络,帮助实现天线与发射/接收前端之间的最大功率传输,提升信号完整性。此外,它也适用于定时电路、振荡器补偿、交流耦合节点以及传感器信号调理电路中,作为隔直通交元件使用。
在工业控制领域,该器件可用于PLC模块、电机驱动器和人机界面设备中,提供抗干扰能力和系统稳定性。在汽车电子应用中,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器单元,其宽温特性和高可靠性满足严苛的环境要求。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备也广泛采用此类电容进行噪声抑制和信号优化。由于其小型化和高性能特点,CAT16-562J8LF还适用于便携式医疗设备、可穿戴装置和物联网终端等对空间和功耗敏感的设计。总之,该电容器凭借其稳定的电气性能、良好的温度特性和广泛的兼容性,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
C0805C562J8GACTU
CL21A562JAQNNNE
GRM21BR71H562JA01L
CC0805JRNPO9BN562