型号: CAT16-560J8LF
　　类型: 非易失性SRAM (NVSRAM)
　　容量: 512K x 8 位 (4Mbit)
　　电源电压: 2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　封装类型: 8引脚 SOIC
　　数据保持时间: 最少10年（典型20年）
　　读写耐久性: 擦写周期可达10万次
　　接口类型: 并行接口（I/O）

CAT16-560J8LF 具有以下显著特性：首先，其非易失性存储单元结合了SRAM的高速读写与EEPROM的断电数据保留能力，使得系统在电源中断时无需外部电池即可自动保存数据；其次，它采用单片集成技术，内部集成了SRAM、EEPROM、电源检测电路和写保护电路，简化了外围设计并提高了系统可靠性。
　　此外，CAT16-560J8LF 支持高速访问时间（通常小于55ns），适合对时间敏感的应用。其自动存储（AutoStore）功能可在电源下降至阈值以下时自动将SRAM数据保存到EEPROM中，而无需软件干预；同时，硬件触发存储（HSS）功能允许用户通过控制引脚手动启动数据保存过程，增加了灵活性。
　　该芯片还具有低功耗特性，工作电流典型值为20mA，待机电流低于10μA，适合用于功耗敏感型设备。其电源电压范围为2.7V至5.5V，兼容多种电源供应系统。封装形式为8引脚SOIC，适用于紧凑型电路设计。

CAT16-560J8LF 广泛应用于需要高可靠性和数据持久性的嵌入式系统和工业设备中。例如，在工业自动化控制系统中，可用于存储关键的配置参数和运行数据，确保在断电时不会丢失重要信息；在通信设备中，可用于缓存实时数据和配置信息，提高系统稳定性和数据完整性。
　　此外，该芯片适用于医疗设备，如便携式诊断仪器和远程监测设备，这些设备通常需要在断电情况下保留患者数据和设置信息；在电力管理系统中，CAT16-560J8LF 可用于记录电能使用情况和故障日志，支持电力公司的远程管理和分析。
　　由于其高速访问时间和非易失性特点，该芯片也可用于高精度测量仪器、测试设备和数据记录器，确保测量数据的完整性和可追溯性。同时，其宽工作温度范围 (-40°C 至 +85°C) 使其适用于户外和工业环境。

CAT16-560J8I-GS03, CAT16-560J8TE13