类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6 V
　　额定集电极电流（IC）：100 mA
　　峰值集电极电流（ICM）：200 mA
　　总功耗（Ptot）：300 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 至 +150 °C
　　直流电流增益（hFE）：100 - 300 @ IC = 10 mA, VCE = 1 V
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤ 200 mV @ IC = 10 mA, IB = 1 mA
　　饱和电压（VBE(sat)）：≤ 700 mV @ IC = 10 mA, IB = 1 mA
　　热阻（RθJA）：417 °C/W

CAK-001AF 具备优异的直流电流增益（hFE）特性，其典型值在100至300之间，测试条件为集电极电流10mA、集电极-发射极电压1V。这一增益范围使其非常适合用于小信号放大电路，例如音频前置放大、传感器信号调理以及逻辑电平转换等应用。由于其增益分布集中且稳定性好，多个器件之间的性能差异较小，有利于批量生产时保持电路一致性。
　　该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，表明其具备良好的高频响应能力，能够在射频或高速数字开关电路中有效工作。这一特性使其不仅限于低频应用，也可用于中高频振荡器、射频小信号放大以及高速逻辑门驱动等场景。结合其快速的开关响应时间，CAK-001AF 能够在脉冲宽度调制（PWM）、数字信号缓冲和高速数据传输接口中发挥重要作用。
　　在功耗方面，CAK-001AF 的最大总功耗为300mW，配合SOT-23封装的小型化设计，可在有限的空间内实现高效的热管理。其热阻（RθJA）约为417°C/W，意味着在自然对流条件下需注意PCB布局以提升散热效率，例如增加铜箔面积或使用散热过孔。此外，该器件的饱和电压较低，VCE(sat) 在10mA集电极电流下不超过200mV，有助于降低导通损耗，提高能效，特别适用于电池供电设备中的开关应用。
　　CAK-001AF 的电气参数在宽温度范围内保持稳定，工作结温可达+150°C，存储温度范围也覆盖-55°C至+150°C，适用于工业级环境下的应用。其击穿电压参数（如VCEO=50V）允许在多数低压电源系统中安全运行，避免因电压瞬变导致的器件损坏。整体而言，CAK-001AF 是一款性能均衡、可靠性高的通用NPN晶体管，适合多种基础电子电路设计需求。

CAK-001AF 主要应用于各类需要小信号放大或低功率开关功能的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的信号放大与切换，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的传感器接口电路，用于放大微弱的模拟信号（如来自温度、光强或加速度传感器的输出）。此外，它也常用于LED驱动电路中作为开关元件，通过微控制器的GPIO引脚控制其导通与截止，从而实现对指示灯或背光源的精确控制。
　　在通信设备中，CAK-001AF 可用于构建简单的射频前端放大器或混频器中的有源器件，尤其适用于工作频率在几十兆赫兹以下的应用场景。其100MHz的过渡频率使其能够处理中频信号，在无线遥控、红外通信和低速数据传输模块中具备实用性。同时，该晶体管也广泛应用于电源管理电路中，例如在LDO稳压器或DC-DC转换器中作为反馈环路的一部分，用于调节输出电压或实现使能控制功能。
　　工业控制系统中，CAK-001AF 常被用作继电器驱动器的前置级，将微弱的控制信号放大以驱动后续的大电流继电器或固态开关。由于其具备足够的电流增益和开关速度，能够有效隔离控制侧与负载侧，提升系统的抗干扰能力和安全性。此外，在测试测量仪器、医疗电子设备和自动售货机等设备中，该晶体管也用于构建逻辑电平转换电路、数字缓冲器和简单的振荡电路，满足多样化的电路设计需求。其SOT-23封装形式支持自动化贴片生产，适合大规模制造。

MMBT3904, 2N3904, BC847B, FMMT211