CA3450E 时间：2025/7/22 23:14:28 阅读：8

CA3450E是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，适用于高频率开关操作。CA3450E采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具备良好的热性能和空间节省设计，适合便携式电子设备和高密度电源系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：23A
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

CA3450E采用了先进的Trench沟槽技术，具有极低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。其低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流负载应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
　　该MOSFET支持高达±20V的栅极电压，具有良好的抗过压能力，能够在高噪声环境下保持稳定工作。此外，CA3450E在4.5V栅极电压下仍能维持较低的导通电阻，使其适用于由5V或更低电压供电的控制器驱动电路。
　　TSOP封装不仅提供了优良的热管理能力，还使得器件在空间受限的应用中具备更高的集成度。这种封装形式也有助于提高焊接可靠性和自动化生产兼容性。
　　CA3450E的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的工业和汽车电子应用。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发电压冲击下的稳定性和可靠性。

应用

CA3450E主要应用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子产品（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中的电源管理模块。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路、LED照明调光控制、热插拔电源管理以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其良好的热性能和高频响应能力，CA3450E也适用于高频开关电源设计，有助于减小电感和电容的尺寸，提高整体电源系统的功率密度。
　　在汽车电子领域，CA3450E可用于车载充电器、电动助力转向系统、车载信息娱乐系统等模块中，满足汽车对高可靠性和宽温工作范围的要求。