CA3450E是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率的特性,适用于高频率开关操作。CA3450E采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具备良好的热性能和空间节省设计,适合便携式电子设备和高密度电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.8A
脉冲漏极电流(IDM):23A
导通电阻(RDS(on)):32mΩ @ VGS = 10V
导通电阻(RDS(on)):40mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TSOP
CA3450E采用了先进的Trench沟槽技术,具有极低的导通电阻,从而降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。其低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流负载应用,如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
该MOSFET支持高达±20V的栅极电压,具有良好的抗过压能力,能够在高噪声环境下保持稳定工作。此外,CA3450E在4.5V栅极电压下仍能维持较低的导通电阻,使其适用于由5V或更低电压供电的控制器驱动电路。
TSOP封装不仅提供了优良的热管理能力,还使得器件在空间受限的应用中具备更高的集成度。这种封装形式也有助于提高焊接可靠性和自动化生产兼容性。
CA3450E的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种严苛环境下的工业和汽车电子应用。此外,该器件具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在突发电压冲击下的稳定性和可靠性。
CA3450E主要应用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、便携式电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和智能手机)中的电源管理模块。
此外,该MOSFET还可用于电机驱动电路、LED照明调光控制、热插拔电源管理以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其良好的热性能和高频响应能力,CA3450E也适用于高频开关电源设计,有助于减小电感和电容的尺寸,提高整体电源系统的功率密度。
在汽车电子领域,CA3450E可用于车载充电器、电动助力转向系统、车载信息娱乐系统等模块中,满足汽车对高可靠性和宽温工作范围的要求。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IRLML2402