类型：BiMOS 运算放大器
　　通道数：1
　　电源电压（单电源）：4V 至 36V
　　电源电压（双电源）：±2V 至 ±18V
　　输入偏置电流：典型值 30pA
　　输入失调电压：典型值 5mV
　　开环电压增益：典型值 106dB
　　增益带宽积（GBW）：典型值 1.5MHz
　　压摆率（Slew Rate）：典型值 1.7V/μs
　　输出电压摆幅：接近轨到轨（Rail-to-Rail Output）
　　输入阻抗：典型值 >10^12Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TO-99、PDIP-8、SOIC-8 等

CA3260T的核心优势在于其BiMOS输入级结构，该结构融合了双极型晶体管的高跨导与PMOS晶体管的极高输入阻抗特性。这种设计使得器件在处理微弱信号时具有极低的输入偏置电流（典型值仅为30pA），远优于传统的双极型运算放大器，从而显著降低了因输入电流引起的误差，特别适合高阻抗信号源的应用场景，如光电二极管前置放大器、电荷放大器和压电传感器接口电路。此外，其输入级的宽共模电压范围允许输入信号接近或甚至略微超出电源轨，提升了系统设计的灵活性。
　　该器件具备出色的直流精度，典型输入失调电压为5mV，并可通过外部调零引脚进行校准，进一步提升系统的长期稳定性与测量精度。其开环增益高达106dB，确保在闭环配置下仍能实现高度线性的放大功能。增益带宽积为1.5MHz，配合1.7V/μs的压摆率，使CA3260T能够有效处理中频范围内的模拟信号，在音频处理、有源滤波和积分电路中表现优异。
　　CA3260T支持宽范围的电源供电，可在单电源4V至36V或双电源±2V至±18V条件下稳定工作，适应性强，适用于便携式设备和工业控制系统等多种供电环境。其输出级设计为接近轨到轨输出，能够在负载条件下将输出电压驱动至距离电源轨仅几十毫伏的水平，最大化动态范围，提高信噪比。同时，该器件具有良好的热稳定性，工作温度范围覆盖-55°C至+125°C，满足军用和工业级应用标准。
　　在抗干扰能力方面，CA3260T具备较高的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR），可有效抑制电源波动和共模噪声对输出信号的影响，确保在复杂电磁环境中依然保持信号完整性。此外，其内部频率补偿机制简化了外部设计，无需额外补偿电容即可稳定工作，降低了外围元件数量和PCB布局复杂度。

CA3260T广泛应用于对精度、稳定性和输入阻抗要求较高的模拟电路中。典型应用场景包括高阻抗传感器信号调理，例如在医疗设备中用于放大生物电信号（如心电图ECG、脑电图EEG）的前置放大器，因其极低的输入偏置电流可避免对微弱生理信号造成负载效应。在工业自动化领域，该器件可用于压力、温度、湿度等传感器的信号采集前端，配合仪表放大器架构实现高共模抑制比的差分放大。
　　在测试与测量仪器中，CA3260T常用于构建精密积分器、电压-频率转换器、锁相环（PLL）中的有源滤波器以及函数发生器中的波形整形电路。其宽电源电压范围和轨到轨输出能力使其非常适合便携式数据采集系统和电池供电设备。此外，在通信系统中，该器件可用于中频信号处理、滤波和缓冲级设计，特别是在低功耗、高保真模拟链路中发挥重要作用。
　　由于其支持极端温度环境，CA3260T也被用于航空航天、军事电子和汽车电子等高可靠性领域，例如雷达信号处理模块、飞行控制系统的模拟接口电路以及车载传感器信号调理单元。其TO-99金属封装版本还具备良好的散热性能和机械稳定性，适合高温、高振动等恶劣工况下的长期运行。

CA3260A
　　CA3260
　　LTC1049
　　LMC6062
　　TL081