类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：5个
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：典型值30V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：典型值36V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：典型值3V
　　最大集电极电流（IC）：典型值100mA
　　功耗（PD）：典型值500mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　增益带宽积（fT）：典型值250MHz
　　直流电流增益（hFE）：典型值100~300（取决于工作点）
　　封装形式：TO-99金属圆形封装或10引脚DIP

CA3045的一个显著特性是其内部五个NPN晶体管的高度匹配性。这些晶体管在同一晶圆上制造，确保了它们在电气特性上的高度一致性，例如电流增益（hFE）、基极-发射极电压（VBE）和温度特性。这种匹配性使得CA3045特别适用于构建高性能的差分放大器和电流镜电路，在这些应用中，晶体管之间的参数偏差会直接影响电路的精度和稳定性。此外，由于所有晶体管共享同一衬底并处于相同的热环境中，它们的温漂行为也较为一致，从而减少了因温度变化引起的失配问题。
　　另一个重要特点是其高频性能表现优异。单个晶体管的增益带宽积（fT）可达250MHz，意味着它可以在较高频率下仍保持足够的电流增益，适用于宽带放大和高速开关应用。虽然每个晶体管的最大集电极电流限制在约100mA，但对于大多数小信号处理和偏置电路来说已经足够。同时，其较高的击穿电压（VCEO=30V）使其能够在较宽的电源电压范围内工作，增强了电路设计的灵活性。
　　CA3045采用TO-99金属封装或10引脚双列直插式封装（DIP），具有良好的散热性能和机械强度，适合在工业级环境温度（-55°C至+125°C）下长期稳定运行。该器件无需外部补偿即可直接用于多种模拟功能模块的搭建，尤其在没有现成专用IC的情况下，可作为通用构建模块使用。此外，它的引脚排列经过优化，便于在印刷电路板上布线，并减少寄生耦合的影响。尽管该器件已不再作为主流产品推广，但在某些复古电子项目、教育演示和特殊模拟电路中仍具实用价值。

CA3045主要用于需要多个匹配晶体管的模拟电路设计中。典型应用包括构建高性能差分输入级，这在早期的运算放大器和仪表放大器中非常常见。利用其中两个匹配的NPN晶体管组成差分对，可以有效抑制共模信号并提高电路的共模抑制比（CMRR）。此外，该器件也常用于实现精确的电流镜电路，为其他放大级提供稳定的偏置电流。在多级放大器设计中，CA3045可用于前级放大、中间驱动级以及输出级的预驱动部分，充分发挥其高增益和良好频率响应的优势。
　　在非线性电路方面，CA3045可用于构建对数放大器、指数函数发生器和压控振荡器（VCO），其晶体管的VBE与IC之间的对数关系是这类电路工作的基础。由于五个晶体管集成在一个芯片上，能够保证多个对数/指数单元之间的一致性，提升整体电路精度。此外，该器件也可用于脉冲整形电路、逻辑门电路和高速开关电路中，尤其是在ECL（发射极耦合逻辑）类型的数字系统中作为基本增益单元使用。
　　在教学与实验领域，CA3045被广泛用于电子工程课程中的模拟电路实验，帮助学生理解晶体管阵列的工作原理、差分放大机制和电流镜的设计方法。由于其结构透明、参数公开，成为学习集成电路内部构造的理想替代品。在一些DIY音频设备和合成器制作中，爱好者也会选用CA3045来打造具有“经典音色”的前置放大模块。

LM3045
　　UTC3045
　　KA3045