类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：5个
　　封装形式：TO-99或14引脚DIP
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：典型值100（测试条件：Ic=1mA）
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（θjc）：约200°C/W

CA3026的一个显著特性是其内部五个NPN晶体管的高度匹配性。由于这些晶体管是在同一硅基片上通过一体化工艺制造而成，它们的电气参数如电流增益（hFE）、基极-发射极电压（Vbe）以及温度系数等具有高度的一致性。这种匹配特性使得CA3026特别适用于构建高性能的差分放大器电路，其中两个晶体管作为差动对使用，能够有效抑制共模信号并提高信噪比。此外，在电流镜电路中，匹配的晶体管可以确保输出电流与参考电流之间保持精确的比例关系，从而为其他模拟电路提供稳定的偏置电流。
　　另一个重要特性是其良好的热耦合性能。由于所有晶体管共享同一衬底，当其中一个晶体管因工作而发热时，其余晶体管也会经历相似的温度变化，这有助于减少因温差引起的参数失配问题。这一特点在精密模拟前端、A/D转换器偏置电路和对温度敏感的测量系统中尤为重要。同时，CA3026的单个晶体管具备较高的增益带宽积（典型值250MHz），使其能够在高频小信号放大应用中表现良好，尽管其主要用途并不集中在射频领域。
　　此外，该器件具有较宽的工作温度范围（-55°C至+125°C），符合军用级或工业级环境要求，能够在极端温度条件下稳定运行。其金属封装不仅提供了良好的机械保护，还具备优异的散热能力，有助于延长器件寿命并提升系统可靠性。虽然每个晶体管的最大集电极电流仅为100mA，限制了其在大功率驱动中的应用，但对于大多数小信号处理任务而言已足够使用。总体来看，CA3026凭借其高匹配性、热稳定性及宽温工作能力，在特定模拟电路设计中依然具备不可替代的价值。

CA3026主要用于需要多个匹配晶体管的模拟电路设计中。一个典型的应用是在差分放大器的输入级，利用其中两个参数高度匹配的NPN晶体管构成差动对，以实现高共模抑制比和低失调电压，常见于运算放大器前置级或仪表放大器的设计中。在这种配置下，CA3026能够显著提升系统的精度和稳定性，尤其适用于传感器信号调理、精密测量仪器和数据采集系统。
　　另一个重要的应用场景是作为电流镜电路的核心元件。由于内部晶体管的Vbe和hFE高度一致，CA3026非常适合用于生成精确且稳定的偏置电流，广泛应用于模拟集成电路的偏置网络、有源负载以及恒流源设计中。这类电路常见于高性能线性稳压器、比较器和对称推挽输出级的偏置设置。
　　此外，CA3026还可用于构建多级放大器结构，其中多个晶体管分别承担不同的功能，例如第一级用于信号放大，第二级用于驱动，第三级用于电平位移或缓冲输出。由于所有晶体管集成在同一芯片上，相互之间的寄生参数较小，且热跟踪性能良好，有利于提升整体电路的频率响应和温度稳定性。
　　在一些老式通信设备、音频前置放大器和测试仪器中，CA3026也被用来替代分立晶体管组合，以减少元件数量、提高装配密度并降低调试难度。尽管现代集成运放和专用IC已逐步取代其部分功能，但在需要定制化设计或修复老旧设备时，CA3026仍然是工程师的重要选择之一。

LM3026
　　MPQ3026
　　NJM3026