类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：110A
　　脉冲漏极电流（Idm）：440A
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：3.5mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：5.0mΩ
　　阈值电压Vgs(th) @ Id=250μA：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：4500pF
　　输出电容（Coss）：1300pF
　　反向传输电容（Crss）：170pF
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　上升时间（tr）：30ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：TO-252 (D-Pak)

C9835ATD采用了Vishay专有的TrenchFET?沟道技术，这种先进的制造工艺显著提升了器件的载流能力和导通性能。通过优化沟槽结构的设计，使得单位面积下的导通电阻大幅降低，从而实现了超低的Rds(on)值，在Vgs=10V时仅为3.5mΩ，这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提高了系统的能效表现。同时，该器件具备出色的热传导能力，得益于其TO-252封装设计与内部芯片布局的协同优化，能够有效将热量从芯片传递至PCB，确保长时间高负载运行下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这对于高频开关应用至关重要。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动损耗并简化了驱动器设计；而低Crss则有助于抑制开关过程中的振荡现象，提升开关速度并减少交叉导通风险。这些特性使其非常适合用于同步整流、半桥或全桥拓扑结构中的主开关器件，尤其在高频率DC-DC变换器中表现出色。
　　C9835ATD还具备较强的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，能够在瞬态过压或突发负载条件下保持正常工作而不损坏。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度环境下可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等对环境适应性要求较高的场合。此外，该器件通过AEC-Q101认证，满足汽车级可靠性标准，进一步扩展了其在车载电源系统中的应用潜力。

C9835ATD广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括同步降压转换器和升压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，可有效降低导通损耗并提升整体转换效率。由于其低Rds(on)和高电流承载能力，也常用于电机驱动电路中，作为H桥结构中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和自动化设备等领域。
　　在电池管理系统（BMS）和负载开关设计中，C9835ATD可用于实现快速通断控制和过流保护功能，凭借其快速的开关响应时间和低静态功耗，有助于延长便携式设备的续航时间。此外，该器件还可用于服务器电源、电信设备电源单元以及分布式电源架构中的中间总线转换器（IBC），满足现代通信基础设施对高效能和小型化的需求。
　　得益于其符合AEC-Q101标准的品质认证，C9835ATD也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、EPS（电动助力转向）系统以及车身控制模块中的电源管理部分。其优异的热性能和抗干扰能力确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行，是高性能功率开关的理想选择之一。

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　　 "SiSS106DN-T1-GE3",
　　 "IRLHS3542",
　　 "AOZ5235EQI"
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