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C930-E 发布时间 时间:2025/7/3 16:55:24 查看 阅读:8

C930-E 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力,能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现。
  其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,具有良好的散热性能,适合对功率密度和热管理要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  连续工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-220 / DPAK

特性

C930-E 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提升整体效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用需求。
  3. 内置反向恢复二极管,支持续流保护功能,特别适合于同步整流或电机控制场景。
  4. 强大的雪崩耐量,确保在异常工作条件下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

C930-E 广泛应用于各种功率转换和控制电路中,具体应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的 H 桥配置或 PWM 控制。
  3. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护元件。
  5. 各类工业自动化设备中的功率调节模块。

替代型号

C931-E, IRF840, STP30NF06

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