C7071 时间：2025/7/24 16:31:16 阅读：4

C7071是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），常用于中高功率的开关电路中。该器件具备较高的耐压能力和较大的工作电流容量，适合应用在电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各类功率开关电路中。该晶体管通常采用TO-220或TO-252封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　功耗（Pd）：40W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.35Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220 / TO-252

特性

C7071 MOSFET具有较低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高电路效率。其高耐压特性（100V Vds）使其适用于中高压功率电路。该器件具备较强的电流承载能力，在连续漏极电流下可达8A，适合用于大功率开关和负载控制。此外，C7071具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，有助于提升整体系统的可靠性和响应速度。该晶体管的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种控制电路匹配。其封装形式常见为TO-220或TO-252，具备良好的散热性能，适用于工业级应用环境。

应用

C7071广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、LED照明驱动以及工业自动化控制设备。在电机控制中，该MOSFET可用于H桥电路实现正反转控制；在电源管理领域，常用于同步整流、负载开关或稳压模块的主开关器件。由于其高可靠性和较强的负载能力，也常用于消费类电子产品及汽车电子系统的功率控制模块。