类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）
　　引脚数：8

C624AQF 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.4mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低，从而提高了整体效率。该 MOSFET 具有高电流承载能力，最大漏极电流可达 120A，适合高功率应用场景。
　　C624AQF 还具备良好的热稳定性，最大功耗为 130W，并且采用高效的散热封装设计，有助于快速将热量散发出去，防止过热损坏。此外，其栅源电压范围为 ±20V，具有较高的栅极耐压能力，增强了器件的可靠性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。SOP 封装形式使其适用于自动化表面贴装工艺，提升了生产效率和可靠性。
　　此外，C624AQF 还具有较低的开关损耗，这使得它在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器和电机控制电路。由于其优异的电气和热性能，C624AQF 被广泛应用于汽车电子、工业自动化和高性能电源管理系统中。

C624AQF 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。它在电源管理领域被广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用。由于其高电流承载能力和低导通电阻，C624AQF 非常适合用于电动工具、电动车辆和工业电机控制电路中的功率开关元件。
　　在汽车电子领域，C624AQF 可用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统等关键部件。此外，它也适用于服务器和通信设备的电源模块，提供高效的能量转换和稳定的性能。
　　由于其紧凑的封装形式，C624AQF 也适用于空间受限的高密度 PCB 设计，帮助工程师在有限的空间内实现更高的功率输出。

SiR142DP, IPP120N10N3G, CSD17579Q3