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C623A39603 发布时间 时间:2025/12/25 15:05:06 查看 阅读:17

C623A39603是一款由Vishay公司生产的表面贴装薄膜片式电阻器,属于Cermet(陶瓷-金属)薄膜技术系列。该器件以其高精度、低噪声和优异的长期稳定性著称,广泛应用于对信号完整性要求较高的精密电子系统中。C623A39603采用紧凑的表面贴装封装形式,适合自动化贴片生产流程,能够有效节省PCB空间并提升组装效率。该电阻器在制造过程中采用了先进的激光修调技术,确保了极高的阻值精度和温度系数控制。其基板材料通常为高纯度氧化铝陶瓷,具有良好的热导率和机械强度,能够在恶劣环境下保持稳定的电气性能。此外,C623A39603还具备出色的耐湿性和抗老化能力,适用于需要长期可靠运行的应用场景,如工业测量设备、医疗仪器和航空航天电子系统等。由于其优异的高频特性,该电阻器也常用于射频(RF)电路和高速数据传输系统中的阻抗匹配与偏置网络设计。
  

参数

型号:C623A39603
  制造商:Vishay
  电阻值:39.6 kΩ
  容差:±0.1%
  温度系数:±25 ppm/°C
  额定功率:100 mW (at 70°C)
  最大工作电压:200 V
  尺寸:0603 (1.6 mm x 0.8 mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +155°C
  存储温度范围:-55°C 至 +155°C
  端接类型:镍铬(NiCr)薄膜+镀金或锡

特性

C623A39603电阻器的核心特性之一是其采用的陶瓷-金属(Cermet)薄膜技术,这种材料体系结合了陶瓷的高稳定性和金属的良好导电性,使得该器件在宽温度范围内表现出极低的电阻漂移和高度一致的电气特性。其电阻层通过真空沉积工艺均匀地涂覆在高纯度氧化铝基板上,随后经过高温烧结和激光微调,实现精确的阻值设定。这一制造流程不仅保证了±0.1%的高精度容差,还能将温度系数控制在±25 ppm/°C以内,显著优于普通厚膜电阻器常见的±100 ppm/°C甚至更高的水平。这对于精密放大器、电压基准源、桥式传感器接口等对温漂敏感的应用至关重要。
  另一个关键特性是其出色的长期稳定性。在加速寿命测试条件下,C623A39603在额定负载下连续工作1000小时后的电阻变化率通常小于0.1%,远低于行业标准要求。这得益于其致密的薄膜结构和优良的端电极密封工艺,有效防止了外界湿气和污染物的侵入。同时,该器件具有极低的噪声水平,典型噪声指数可低至-40 dB(0.1 Hz至10 Hz),使其非常适合用于低电平信号处理电路,如前置放大器和精密ADC驱动电路。
  在高频性能方面,C623A39603展现出较小的寄生电感和电容,因而具备平坦的频率响应特性,可在数百MHz频率下仍保持接近理想的电阻行为。这一特点使其成为射频衰减器、高速差分线路终端匹配以及高精度滤波器设计中的理想选择。此外,其0603小型化封装不仅节省空间,而且具有良好的焊接可靠性,兼容回流焊和波峰焊工艺,并可通过AEC-Q200认证版本用于汽车电子应用。整体而言,C623A39603是一款面向高端市场的高性能薄膜电阻器,兼顾精度、稳定性和环境适应性,满足现代精密电子系统对元件品质的严苛要求。

应用

C623A39603因其高精度和高稳定性,被广泛应用于多个对电气性能有严格要求的领域。在工业自动化与过程控制中,它常用于高精度传感器信号调理电路,例如压力、温度和应变计桥式电路的反馈与补偿网络,确保测量系统的线性度和重复性。在医疗电子设备中,如心电图机(ECG)、脑电图仪(EEG)和血液分析仪等,该电阻器用于前端模拟信号链路中的增益设置和偏置调节,其低噪声和低温漂特性有助于提高诊断数据的准确性与可靠性。
  在测试与测量仪器领域,包括数字万用表、示波器、LCR测试仪和精密电源,C623A39603作为基准分压器或反馈元件使用,保障仪器在整个工作温度范围内的测量一致性。其长期稳定性减少了校准频率,降低了维护成本。在通信系统中,尤其是在射频模块和光模块内部的偏置电路与阻抗匹配网络中,该电阻器凭借其优良的高频响应和稳定性,有助于维持信号完整性,减少失真和反射。
  此外,在航空航天与国防电子系统中,C623A39603可用于惯性导航系统、雷达信号处理单元和卫星通信终端,这些应用场景往往面临极端温度变化和强烈振动,因此对其元器件的可靠性要求极高。该器件的宽工作温度范围(-55°C 至 +155°C)和坚固的结构设计使其能够胜任此类严苛环境。在高端消费电子和汽车电子中,特别是涉及高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载信息娱乐系统的精密模拟电路中,C623A39603也被用于关键信号路径中以提升整体系统性能。总之,凡是需要长期稳定、高精度电阻特性的场合,C623A39603都是一个值得信赖的选择。

替代型号

CRCW-PF 39.6KJNE

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