时间:2025/12/3 20:33:03
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C5750X7T2E225KT000N 是一款由AVX公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),采用标准的EIA 1812封装尺寸(即4.5 mm x 3.2 mm),具有较高的电容值和耐压能力。该器件属于X7T温度特性系列,表示其工作温度范围为-55°C至+125°C,且电容值随温度的变化率不超过±15%。该型号标称电容为2.2 μF(225表示22 × 10^5 pF = 2.2 μF),额定电压为250 VDC(由‘2E’表示),适用于需要高稳定性和可靠性的工业、电源及能源存储应用中。该电容器采用镍障端接(Ni-barrier termination),具备良好的可焊性和抗迁移性能,适合在高温、高湿等恶劣环境下长期运行。此外,该产品符合RoHS指令要求,不含铅,支持无铅焊接工艺。由于其大容量与较高额定电压的结合,在直流链路滤波、储能电路以及功率变换系统中被广泛使用。
制造商:AVX
产品类型:陶瓷电容器MLCC - 多层片式电容器
电容:2.2 μF
容差:±10%
额定电压:250 VDC
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
温度特性:X7T(ΔC/C: ±15%)
外壳尺寸:EIA 1812(4532公制)
长度:4.50 mm
宽度:3.20 mm
高度:最大3.20 mm
端接类型:镍障(Ni-barrier)
安装类型:表面贴装SMD(SMT)
介质材料:陶瓷(Class II, X7T)
直流偏压特性:存在明显电容下降(随电压增加)
老化特性:典型老化率为每十倍频程≤2.5%
包装类型:卷带编装(Tape and Reel)
无铅/符合RoHS:是
C5750X7T2E225KT000N 具备优异的电气稳定性与机械可靠性,特别适用于高温环境下的高电压应用场景。其X7T介质材料确保了在-55°C到+125°C的宽温范围内,电容变化控制在±15%以内,虽然不如C0G/NP0类电容精确,但相较于其他II类介质如Y5V已有显著改善。这种材料体系在保持较高介电常数的同时兼顾温度稳定性,使得大容量电容得以小型化集成于紧凑电路中。该器件采用先进的叠层结构设计,通过数十甚至上百层陶瓷与内电极交替堆叠烧结而成,极大提升了单位体积的能量密度。内电极为贵金属浆料(如银钯合金)或铜基电极,配合镍障层端接技术,有效防止外部焊料对内部电极的侵蚀,并抑制银离子迁移导致的短路风险,从而提高长期使用的可靠性。
该电容器具备较强的抗热冲击能力,能够承受多次回流焊过程而不损坏,适用于自动化SMT贴片生产工艺。其结构设计优化了应力分布,减少因PCB弯曲或热胀冷缩引起的裂纹风险。此外,由于其低ESR(等效串联电阻)和较低的ESL(等效串联电感),在高频去耦和电源滤波应用中表现良好,尤其适合用于开关电源输出端的平滑滤波。尽管随着直流偏置电压升高,实际可用电容会有所下降(例如在250V下可能降至标称值的60%-70%),但在中高压直流链路中仍能提供稳定的储能功能。整体而言,该型号在工业电源、医疗设备、太阳能逆变器、电动汽车充电模块等领域展现出卓越的综合性能。
C5750X7T2E225KT000N 主要应用于对电容值稳定性、耐压能力和长期可靠性有较高要求的电子系统中。典型应用包括工业级开关电源(SMPS)中的直流链路滤波电容,用于平滑整流后的高压直流电压,降低电压纹波并提升系统效率。在太阳能光伏逆变器中,该电容常用于直流输入侧的能量缓冲与瞬态响应调节,有助于应对光照波动带来的电流突变。此外,在电动汽车(EV)及充电桩的电力转换模块中,它可用于支撑母线电压稳定,吸收来自电机控制器或AC/DC变换器的反向能量脉冲。
在高压仪器仪表、医疗成像设备(如X光机、CT扫描仪的高压发生器)以及激光电源系统中,该电容因其高绝缘电阻和耐高压特性而被用作储能元件或耦合电容。同时,也可作为大功率LED驱动电路中的输出滤波电容,以减少光闪烁现象。在轨道交通与航空航天领域,该器件凭借其宽温适应性与抗振动设计,能够在极端环境中维持正常工作。此外,由于其无铅环保特性,也符合现代绿色电子产品制造标准,广泛用于符合IEC 61000-4-x电磁兼容标准的工业控制系统中进行噪声抑制和电源去耦。
Kemet C1812X7T2E225K2RACTU
Taiyo Yuden TMK1812BJX7T225KA-T