时间：2025/6/28 21:52:20
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C5750JB2A335K230KA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的能效并降低热损耗。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为 TO-247 或 TO-220，具体取决于制造商的设计规范。它支持高电压和大电流操作，适合工业级和消费级应用。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：33A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：120nC
功耗：450W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
C5750JB2A335K230KA 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高负载条件下减少功率损耗。
2. 高速开关性能，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
3. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下具备更高的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了高频应用中的表现。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
6. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 工业电机驱动器和伺服控制器中的功率级。
3. 太阳能逆变器和储能系统的核心功率转换组件。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
5. 高压 DC-DC 转换器和 UPS 系统。
6. 各种需要高效功率管理的工业和消费类电子设备。
C5750JG2A335K230KA
C5750JD2A335K230KA
C5750JE2A335K230KA
