C5750CH2J683J230KC 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,从而提高了系统的效率和可靠性。
该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管,能够在高频工作条件下保持优异的性能表现。其封装形式和电气特性使其非常适合需要高效功率转换的应用场景。
型号:C5750CH2J683J230KC
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vdss):650V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):25mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
总功耗(Ptot):210W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
C5750CH2J683J230KC 具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:650V 的漏源击穿电压使其适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 25mΩ,能够有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使得该 MOSFET 在高频工作时表现出较低的开关损耗。
4. 强大的散热能力:通过 TO-247 封装形式提供良好的热管理性能。
5. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +175℃ 的温度区间,确保在极端条件下的稳定运行。
6. 可靠性高:经过严格的质量控制流程,具有较高的抗浪涌能力和长期稳定性。
C5750CH2J683J230KC 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于计算机、通信设备和工业控制系统。
2. 电机驱动:
适用于各种类型的电机控制,包括步进电机、伺服电机和无刷直流电机。
3. 太阳能逆变器:
在可再生能源系统中,作为关键的功率转换组件。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):
用于车载充电器、DC-DC 转换器和牵引逆变器。
5. 工业自动化:
提供高效可靠的功率控制解决方案,满足现代工厂对节能和可靠性的要求。
C5750CH2J683J230KCA, IRFP260N, STP30NF65