时间：2025/8/24 7:33:08
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C5200-O 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和功率放大器等高功率场景中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关效率，适合高频开关应用。C5200-O的封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适用于中高功率密度的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤2.9mΩ（典型值）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）
C5200-O MOSFET具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面表现优异，适用于高电流需求的应用场景。
此外，C5200-O采用了先进的沟槽式工艺技术，提升了开关速度和稳定性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。其高耐压能力（Vds=100V）使其适用于多种DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。
在封装方面，C5200-O提供TO-220和TO-263等封装形式，具有良好的热管理能力，有助于在高功率密度设计中保持稳定的工作温度。该器件还具备较高的抗雪崩能力和较强的耐用性，能够在严苛环境下稳定运行。
总体而言，C5200-O是一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种工业控制、电源管理和电机驱动应用，具备良好的稳定性和可靠性。
C5200-O广泛应用于各类高功率电子设备中，常见于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机控制器、电源管理系统、负载开关以及各类电源模块中。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、电动车控制器、储能系统以及高频开关电源设计。由于其高电流承载能力和低导通电阻，C5200-O特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源应用，如服务器电源、UPS不间断电源和锂电池管理系统等。
SiR876DP, IPB089N10N3, FDD8882, IRF3710, STP80NF10
