类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

C5138C 具有低导通电阻的特性，这使得在高电流工作状态下，MOSFET的功耗更低，从而提高了系统的整体效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用环境，例如开关电源（SMPS）和工业控制设备。
　　该MOSFET采用了先进的硅工艺技术，确保了器件在高频率开关条件下的稳定性和可靠性。此外，TO-220封装提供了良好的散热性能，能够有效地将热量传导到外部散热片，从而延长器件的使用寿命。
　　在栅极驱动方面，C5138C 支持宽范围的栅极驱动电压（±30V），这使得它能够与多种驱动电路兼容，包括微控制器和专用的MOSFET驱动器芯片。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。
　　此外，该器件还具有良好的短路和过热保护性能，能够在异常工作条件下提供一定程度的自我保护，防止因过载或故障而导致的损坏。

C5138C 广泛应用于多种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制电路、照明设备以及电池充电器等。由于其高耐压和高电流能力，该MOSFET也常用于工业自动化设备和家用电器中的电源管理模块。
　　在电机控制应用中，C5138C 可以作为H桥电路的一部分，实现对直流电机或步进电机的方向和速度控制。在电池充电器设计中，它用于调节充电电流和电压，以确保电池的安全高效充电。
　　此外，该MOSFET还适用于逆变器设计，例如太阳能逆变器和车载逆变器，用于将直流电转换为交流电供家庭或工业设备使用。

2SK2545, 2SK1338, IRF840