C50DX500 时间：2025/8/6 20:48:40 阅读：14

C50DX500 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率晶体管，属于其 High Voltage IGBT 系列。该器件专门设计用于高电压、高电流应用，例如工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）和电源管理系统。C50DX500 具有较高的电流处理能力、较低的导通压降和开关损耗，适用于需要高效能和可靠性的功率电子系统。

参数

集电极-发射极电压（VCES）：500V
　　集电极电流（IC）：50A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：典型值 10μs
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　饱和压降（VCEsat）：典型值 2.1V（在 IC=50A）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：典型值 1.2mJ / 0.8mJ（在 25°C）
　　封装形式：TO-247
　　安装方式：通孔

特性

C50DX500 IGBT 采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和热稳定性。其主要特性包括高电压阻断能力（VCES 为 500V），能够在高电压环境下稳定运行，适用于各种高功率应用。该器件的集电极额定电流可达 50A，具备较强的电流处理能力，适用于大功率电机驱动和逆变器设计。
　　此外，C50DX500 在导通状态下的饱和压降较低（典型值 2.1V），有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，该器件的开关损耗较低（Eon 和 Eoff 分别为 1.2mJ 和 0.8mJ），在高频开关应用中表现出色，有助于提高整体系统的能效。
　　该 IGBT 具有良好的短路耐受能力（典型值 10μs），可以在异常情况下提供一定程度的保护，提高系统的可靠性。其栅极-发射极电压范围为 ±20V，适用于常见的驱动电路设计，易于集成到各种功率系统中。
　　封装方面，C50DX500 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度应用。其通孔安装方式便于在 PCB 上安装和维护，适用于工业级应用场景。

应用

C50DX500 主要应用于高电压、高电流的功率电子系统中。其典型应用包括工业电机驱动、变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电源管理系统以及工业自动化设备。由于其高电压阻断能力和较大的电流处理能力，C50DX500 适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统，如电动汽车充电设备、太阳能逆变器、工业电机控制等场景。此外，该器件还可用于焊接设备、电能质量调节装置和高频电源转换系统。