时间：2025/9/11 4:23:01
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C503T-WTS-CU0W0151 是一款由 Cree（科锐）公司生产的碳化硅（SiC）功率晶体管。该器件基于先进的碳化硅技术，具有高效能、高频率操作和低导通损耗的特点。该晶体管适用于要求高效率和高性能的功率转换应用，如电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和工业电源系统。由于其优越的热性能和电性能，该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
类型：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
型号：C503T-WTS-CU0W0151
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）@ 25°C：150A
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值）
封装类型：双面散热（Double-Sided Cooling, DSC）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
栅极电荷（Qg）：200nC（典型值）
短路耐受能力：6倍额定电流，持续时间可达10μs
C503T-WTS-CU0W0151 拥有多个突出的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其碳化硅材料具有宽禁带（Wide Bandgap, WBG）特性，使得器件能够在更高的温度、电压和频率下工作，同时具有更低的导通和开关损耗。其次，该MOSFET采用了双面散热封装技术，提高了热传导效率，从而降低了热阻，提升了整体系统的可靠性和寿命。此外，其低导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通损耗，提高系统效率。该器件还具备较强的短路耐受能力，可以在异常工况下保护自身不被损坏，提高了系统的稳定性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为-3V至+20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到各种功率系统中。最后，该器件具备良好的电磁干扰（EMI）性能，有助于降低外围电路的设计复杂度。
C503T-WTS-CU0W0151 主要应用于需要高效率、高功率密度和高工作温度耐受能力的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和逆变器系统；工业电源系统中的高功率开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）；太阳能逆变器中的主功率开关元件；以及轨道交通和智能电网中的高压功率转换设备。由于其优异的开关性能和低损耗特性，该器件也适用于高频开关应用，如谐振变换器和软开关拓扑结构。此外，该器件的高可靠性使其在恶劣环境下的工业和军事应用中具有广泛前景。
C3M0045120K, C2M0160120D, SCT3045KL, SiC MOSFET模块如CMF300DA120H
