时间：2025/9/11 6:53:51
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C503B-GAN-CB0F0791是一款基于GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，主要用于高效率、高频的功率转换应用。该器件由知名半导体厂商生产，采用先进的材料和封装技术，提供卓越的导电性和热管理性能。C503B-GAN-CB0F0791适用于各种电力电子系统，包括电动汽车充电器、太阳能逆变器、服务器电源以及高密度电源模块等。其设计目标是实现更高的能效、更小的体积和更轻的重量，以满足现代电子设备对能源管理和空间利用的严格要求。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏极-源极电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：表面贴装（SMD）
热阻（RthJC）：0.35°C/W
栅极电荷（QG）：50nC
反向恢复电荷（Qrr）：0nC
工作频率范围：最高可达2MHz
C503B-GAN-CB0F0791采用了先进的GaN-on-SiC技术，使其在高频应用中表现出色。与传统的硅基MOSFET相比，该器件的导通损耗和开关损耗显著降低，从而提高了整体能效。此外，由于其高电子迁移率特性，C503B-GAN-CB0F0791能够在更高的频率下运行，减少了外部磁性元件的尺寸和重量。该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在恶劣环境下工作。
在封装方面，C503B-GAN-CB0F0791采用了高效的散热设计，能够有效传导热量，确保在高功率密度应用中的稳定性。其表面贴装封装方式也简化了PCB布局和制造工艺，降低了生产成本。同时，该器件具备低寄生电感的内部结构，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
为了增强系统的鲁棒性，C503B-GAN-CB0F0791内置了保护机制，例如过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和短路保护（SCP），确保在异常工作条件下的安全运行。这些特性使得它成为各种高性能电源转换系统的理想选择，特别是在对效率和可靠性要求极高的工业和汽车应用中。
C503B-GAN-CB0F0791广泛应用于需要高效能功率转换的场合，例如电动汽车车载充电器（OBC）、48V DC-DC转换器、数据中心服务器电源、太阳能逆变器、工业电源模块、无线充电系统和高功率密度适配器等。其高频特性也使其适合用于谐振变换器（如LLC和CLLC拓扑）和软开关电路设计。
GaN Systems GS66508T
EPC2218
Texas Instruments LMG5200
Infineon CoolGaN? 600V IC
