C4D20120D 时间：2025/4/28 16:26:40 阅读：2

C4D20120D是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，广泛应用于高频、高效功率转换场景中。该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点，适用于开关电源、逆变器以及电机驱动等应用领域。
　　由于采用了先进的碳化硅材料技术，C4D20120D能够承受较高的工作温度，并保持优异的电气性能，是传统硅基二极管的理想替代方案。

参数

最大重复峰值反向电压：1200V
　　最大直流电流：20A
　　正向压降（典型值，IF=10A）：1.6V
　　反向恢复时间（典型值）：80ns
　　结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

C4D20120D采用碳化硅材料制造，具备以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：最大可承受1200V的反向电压，适用于高压环境。
　　2. 大电流处理能力：支持高达20A的连续直流电流输出。
　　3. 快速开关速度：其反向恢复时间仅为80ns，非常适合高频应用。
　　4. 低正向压降：在大电流条件下仍能保持较低的正向压降，从而减少功率损耗。
　　5. 耐高温性能：允许的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，适应各种恶劣环境。
　　6. 高可靠性：通过了严格的质量测试，确保长时间稳定运行。

应用

C4D20120D因其出色的性能，被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于提高电源转换效率和降低能耗。
　　2. 逆变器：在光伏逆变器和UPS系统中发挥关键作用。
　　3. 电机驱动：为工业电机控制提供高效的功率转换解决方案。
　　4. 充电桩：应用于电动汽车充电桩中的功率模块，提升充电效率。
　　5. 可再生能源系统：如风力发电和太阳能发电系统的功率调节单元。