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C4D15120A 发布时间 时间:2025/12/28 16:21:07 查看 阅读:11

C4D15120A 是由 Cree(科锐)公司生产的一款碳化硅(SiC)肖特基二极管。该器件基于先进的碳化硅半导体技术,具有出色的导电性能和热稳定性,广泛应用于高功率、高频率和高温环境中。C4D15120A 是一款双共阴极(Dual Common Cathode)结构的肖特基二极管,适用于电源转换系统中的整流电路,如PFC(功率因数校正)、DC-DC转换器和逆变器等。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):1200V
  最大平均整流电流(IF(AV)):15A
  峰值浪涌电流(IFSM):400A
  工作温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  热阻(RθJC):1.8°C/W
  封装形式:TO-247
  反向漏电流(IR @ 1200V):≤ 100μA
  正向压降(VF @ 15A):1.65V(典型值)

特性

C4D15120A 的碳化硅材料赋予其极低的反向漏电流和优异的高温性能,使其能够在高温环境下稳定运行,减少散热设计的负担。该器件的肖特基结构使其具备零反向恢复电荷(Qrr),从而消除了传统硅二极管在高频开关应用中因反向恢复而引起的开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  此外,该二极管采用双共阴极封装设计,使得在桥式整流等电路中更容易布局和连接,减少寄生电感,提高系统效率。其高浪涌电流承受能力(IFSM高达400A)使其在面对负载突变或短路冲击时具备良好的鲁棒性。
  由于碳化硅材料的宽禁带特性,C4D15120A 在高电压下仍能保持较低的导通压降(典型值1.65V),从而降低导通损耗,提高整体电源系统的能效。这使得它成为新能源汽车充电模块、光伏逆变器、工业电源等高可靠性应用的理想选择。

应用

C4D15120A 主要用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括:PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电桩、电机驱动系统、工业电源模块等。其优异的高温性能和低导通损耗也使其在紧凑型电源设计和风冷/液冷系统中表现出色。

替代型号

C4D15120A 可以被以下型号替代:C4D15120D、C4D15120F、SKP15120R、SiC15120P

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C4D15120A参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列Z-Rec™
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)20A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 15A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200µA @ 1200V
  • 电容@ Vr, F1200pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商设备封装TO-220-2
  • 包装管件