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C4D10120H 发布时间 时间:2025/12/28 16:22:03 查看 阅读:16

C4D10120H 是一款由 Cree(科锐)公司生产的肖特基二极管,采用碳化硅(SiC)技术制造,具有高效能和高可靠性。该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用,如开关电源、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等。

参数

类型:肖特基二极管
  材料:碳化硅(SiC)
  最大正向电流:10A
  最大反向电压:1200V
  正向压降:约1.8V(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

C4D10120H 的碳化硅材料赋予其卓越的电气性能,包括高击穿电压、低导通损耗和快速恢复时间。由于碳化硅的宽禁带特性,该二极管能够在高温和高电压条件下稳定工作,显著降低功率转换过程中的能量损耗。
  此外,C4D10120H 具有优异的热导率,使其在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。其无反向恢复电荷的特性进一步提升了开关效率,降低了电磁干扰(EMI),从而减少了外围滤波电路的设计复杂度。
  该器件的 TO-247 封装形式便于安装和散热管理,适用于各种高功率密度的设计场景。其高可靠性和长寿命使其成为工业电源、电动汽车充电系统和可再生能源设备中的理想选择。

应用

C4D10120H 广泛应用于需要高效能功率转换的电子系统中,如高功率开关电源、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车充电器、电机驱动器和工业自动化设备。由于其出色的高温稳定性和高耐压能力,该二极管在极端工作环境下依然表现出色。

替代型号

C4D10120A, C3D10120H, C4D10120F

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C4D10120H参数

  • 现有数量401现货
  • 价格1 : ¥98.18000管件
  • 系列Z-Rec?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)31.5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.8 V @ 10 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏250 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容754pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-2
  • 供应商器件封装TO-247-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C