C4897 时间：2025/9/7 10:12:50 阅读：26

C4897 是一款 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。这种晶体管通常采用 TO-220 或 TO-247 封装形式，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、电源管理和电机驱动等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大连续漏极电流 Id：18A
　　导通电阻 Rds(on)：约 0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-247

特性

C4897 MOSFET 具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压应用。此外，C4897 还具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　该晶体管的栅极驱动电压范围较宽，通常在 10V 至 20V 之间，能够确保充分导通并减少开关损耗。其封装形式（如 TO-220 或 TO-247）提供了良好的散热性能，适用于中高功率密度的设计。此外，C4897 具有较高的短路耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。