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C3R77P244J375 发布时间 时间:2025/12/27 18:07:03 查看 阅读:9

C3R77P244J375是一款由KEMET公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于C0G(NP0)系列,具有优异的温度稳定性和低损耗特性。该电容器采用X7R介电材料以外的C0G/NP0材质,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的高度稳定性,其温度系数为0±30ppm/°C,几乎不受温度变化影响。该器件封装尺寸为0805(公制2012),额定电容为0.24μF(244nF),容差为±5%(代号J),额定电压为375VDC。C3R77P244J375广泛应用于高精度定时电路、滤波器、谐振电路、耦合与去耦电路以及对稳定性要求较高的模拟电路中。由于其低电感、低损耗和高Q值特性,特别适合用于射频(RF)和高频信号处理场景。该产品符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和可靠性,适用于自动化贴片生产流程。

参数

电容:0.24μF
  容差:±5%
  额定电压:375VDC
  温度特性:C0G (NP0)
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  介质材料:Ceramic (C0G)
  封装尺寸:0805 (2.0mm x 1.2mm)
  温度系数:0±30ppm/°C
  直流偏压特性:无明显下降
  绝缘电阻:≥10000MΩ 或 C≤1μF时 ≥500MΩ·μF
  老化率:不适用(C0G材料无老化现象)
  ESR(等效串联电阻):极低
   ESL(等效串联电感):极低

特性

C3R77P244J375所采用的C0G(也称NP0)介质材料是目前最稳定的陶瓷电介质之一,具备极佳的电气稳定性。这种材料在全温度范围内(-55°C至+125°C)的电容变化不超过±30ppm/°C,这意味着即使在极端环境条件下,电容值也不会发生显著漂移,确保了电路参数的一致性与可预测性。此外,C0G材料不存在铁电效应,因此不会因外加电压的变化而引起电容值的非线性变化,即在不同直流偏置电压下仍能保持标称电容不变,这对于精密模拟电路和高频振荡电路至关重要。
  该器件的另一个显著特点是其极低的介质损耗,典型耗散因子(Dissipation Factor, DF)小于0.1%,这使得它在高频应用中能够有效减少能量损耗,提高系统效率。同时,由于其高Q值(品质因数),非常适合用于LC谐振回路、带通滤波器和匹配网络中,有助于提升选频特性和信号完整性。
  结构上,C3R77P244J375采用多层陶瓷堆叠工艺,在微小的0805封装内实现了0.24μF的相对大容量,兼顾了小型化与性能需求。其端电极通常采用镍阻挡层和锡镀层结构,具备良好的可焊性和耐腐蚀能力,支持回流焊和波峰焊等多种SMT装配工艺。此外,该电容器无老化特性,不像X7R或Y5V类电容会随时间推移出现电容衰减,因此长期使用中无需考虑寿命补偿设计,提升了系统的长期稳定性与可靠性。

应用

C3R77P244J375因其出色的温度稳定性和低损耗特性,广泛应用于对信号精度和稳定性要求极高的电子系统中。在通信设备领域,常用于射频前端模块中的匹配网络、滤波电路和本地振荡器的谐振元件,确保频率响应的一致性与信号质量。在工业控制与测量仪器中,该电容被用于高精度ADC/DAC参考电压旁路、有源滤波器和时钟生成电路,防止噪声干扰导致的采样误差。音频设备中,它可用于高端音响系统的分频网络和前置放大器耦合电路,凭借其线性特性减少失真,提升音质表现。
  在电源管理系统中,尽管其容量不大,但由于其快速响应能力和低阻抗特性,常作为高频开关电源中的去耦电容,用于抑制高频噪声并稳定供电电压。在汽车电子领域,特别是车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块中,该器件可在宽温环境下可靠运行,满足AEC-Q200可靠性标准的要求。此外,在医疗电子设备如心电图机、超声成像仪等需要长期稳定工作的精密仪器中,C3R77P244J375也被广泛采用,以保证信号采集的准确性和重复性。总之,凡是对电容稳定性、线性度和可靠性有严苛要求的应用场景,都是该型号的理想选择。

替代型号

[
   "C3R7P244J375TR",
   "C0805C244J3GACTU",
   "GRM21BR61E244KA88L",
   "CL21A244JANNNNE"
  ]

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