时间：2025/12/28 16:22:19
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C3M0120100J 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET器件。该器件基于SiC宽带隙半导体技术，具备卓越的开关性能和导通损耗特性，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。该MOSFET的漏源电压（VDS）额定为1200V，连续漏极电流（ID）为80A，适合用于高电压和高频率的应用场景。
漏源电压 VDS: 1200V
漏极电流 ID: 80A
导通电阻 RDS(on): 100mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg: 98nC（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TO-247
功率耗散: 300W
C3M0120100J 采用先进的碳化硅（SiC）技术，使其在高频开关应用中表现卓越。该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，仅为100mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高系统效率。此外，其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（80A）使其适用于高压和高功率环境。该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗并提高开关速度，从而提升整体系统性能。
由于SiC材料的热导率较高，C3M0120100J 在高温环境下仍能保持稳定工作，适合高功率密度设计。此外，其反向恢复损耗极低，可显著提升整流效率。该器件的TO-247封装形式广泛用于工业标准模块中，便于安装和散热管理。C3M0120100J 的这些特性使其成为高效电源转换器、电机驱动系统、可再生能源系统等应用的理想选择。
C3M0120100J 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统。典型应用包括电动汽车（EV）充电器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动、电源模块（如DC-DC转换器和AC-DC整流器）以及不间断电源（UPS）。其优异的开关性能和热稳定性也使其适用于高频功率转换器和高效率逆变器系统。此外，由于其具备出色的耐压和耐高温能力，C3M0120100J 也常用于高可靠性要求的工业和能源管理系统。
C3M0075120K, SCT30N120, SiC MOSFET 1200V 80A TO-247
