C3M0120090J 时间：2025/12/28 16:21:59 阅读：11

C3M0120090J 是一款由 Wolfspeed（原 Cree Microelectronics）推出的碳化硅（SiC）MOSFET器件，属于其第三代碳化硅功率MOSFET产品系列。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有优异的开关性能和导通损耗特性，适用于高频率、高效率的功率转换应用。C3M0120090J 的漏源电压（VDS）为 900V，导通电阻（RDS(on)）为 120mΩ，支持高功率密度设计并可在高温环境下稳定工作。其封装形式为TO-247，便于与传统的功率MOSFET和IGBT进行引脚兼容设计。

参数

型号：C3M0120090J
　　类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压 VDS：900V
　　漏极电流 ID（连续）：80A
　　导通电阻 RDS(on)：120mΩ
　　栅极电压 VGS：±20V
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大结温 TJ：150°C

特性

C3M0120090J 的核心优势在于其基于碳化硅材料的高性能特性。与传统的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET在导通损耗和开关损耗方面具有显著优势，尤其是在高频开关应用中表现更为优异。其低RDS(on)值确保在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，有助于提升整体系统的能效。此外，碳化硅材料具备更高的热导率，使得C3M0120090J能够在较高的工作温度下保持稳定运行，从而减少散热设计的复杂性。
　　该器件还具有极低的内部栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr），这使得在硬开关和软开关拓扑中实现更高的开关频率成为可能。这种高频操作能力有助于减小外围电感和电容元件的尺寸，从而提升系统的功率密度和整体效率。C3M0120090J 的TO-247封装设计也便于安装和散热管理，适用于多种工业级应用环境。
　　此外，该器件具备出色的短路耐受能力，能够承受一定的过载电流而不损坏，从而提升系统在异常工况下的可靠性。同时，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许在不同的驱动条件下进行优化配置，提高系统的灵活性和稳定性。

应用

C3M0120090J 适用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率电子系统，包括但不限于以下领域：电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电源转换系统以及各类高频开关电源。其优异的热性能和开关特性使其成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的理想选择，尤其在需要提升能效和缩小体积的应用场景中表现突出。