时间：2025/12/28 16:21:30
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C3M0065100K 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，型号中的“C3M”表示其属于第三代碳化硅MOSFET技术，具备高性能和低损耗特性。该器件的耐压等级为1200V，导通电阻为65mΩ，适用于高功率、高频的电力电子应用。与传统硅基MOSFET或IGBT相比，C3M0065100K具有更低的开关损耗、更高的工作温度耐受能力以及更优异的热稳定性，适用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源和储能系统等对效率和可靠性要求极高的场合。
类型：碳化硅 MOSFET
漏源电压 Vds：1200V
漏源导通电阻 Rds(on)：65mΩ（最大）
连续漏极电流 Id（25°C）：80A
连续漏极电流 Id（100°C）：40A
栅极电压范围：-10V 至 +20V
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247
热阻 Rth(j-c)：0.68°C/W
C3M0065100K 的核心优势在于采用了 Cree 第三代碳化硅（SiC）MOSFET 技术，具备极低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升系统的整体效率。其导通电阻仅为65mΩ，有助于降低导通损耗，提高功率密度。此外，该器件的高频工作能力优于传统硅基器件，使得设计者可以采用更高的开关频率，从而减小磁性元件的尺寸，提升系统功率密度。
该器件还具有良好的热性能，热阻低至0.68°C/W，能够有效传导热量，提升器件在高功率应用中的可靠性。C3M0065100K 的工作温度上限为150°C，适应高温环境下的运行需求，适合用于电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器以及工业电源等应用。
另外，该器件具备出色的短路耐受能力，能够在一定程度上抵御突发的过流或短路事件，增强系统的稳定性与安全性。其栅极驱动电压范围为-10V至+20V，兼容常见的栅极驱动电路设计，便于集成至现有的功率系统中。
C3M0065100K 主要应用于高功率密度和高效率需求的电力电子系统中，包括但不限于电动汽车的车载充电器（OBC）、高压DC-DC转换器、太阳能光伏逆变器、储能系统逆变器、工业电源及UPS不间断电源系统等。其高频开关能力使其在提高系统效率的同时，有助于缩小变压器、电感等磁性元件的体积，提升整体系统的功率密度。
在电动汽车领域，C3M0065100K 可用于构建高效的车载充电系统和电驱系统的辅助电源模块。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器中，该器件可以显著提升能量转换效率，并降低系统损耗。在工业电源方面，如服务器电源、通信电源、高频开关电源等，该器件可以替代传统硅基MOSFET或IGBT，实现更高的效率和更小的体积。
C3M0065100J, C2M0065100K, SCT3060ALHR, SiC MOSFET 1200V 65mΩ TO-247
