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C3M0040120K 发布时间 时间:2025/4/28 17:59:43 查看 阅读:2

C3M0040120K 是一款碳化硅 (SiC) MOSFET,由 Wolfspeed(原 Cree)公司生产。该器件适用于高功率密度和高效能应用,如太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源 (UPS) 和电动汽车充电系统。它具有快速开关速度和低导通电阻的特点,可显著提高系统的效率并减少热量损耗。
  该型号属于 Wolfspeed 的 C3 系列,采用 TO-247-3 封装形式,便于安装和散热管理。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:40A
  导通电阻:80mΩ
  最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:40A
  栅极阈值电压:2.5V~4.5V
  导通电阻(典型值):80mΩ
  开关频率:高达100kHz
  封装类型:TO-247-3

特性

C3M0040120K 具有以下关键特性:
  1. 高效的 SiC 技术提供更低的开关损耗和导通损耗,从而提升整体效率。
  2. 快速开关能力支持高频操作,能够降低无源元件(如电感和变压器)的尺寸。
  3. 强大的热性能允许在高功率密度条件下稳定运行。
  4. 内置反向恢复二极管功能,进一步简化电路设计并优化性能。
  5. 高可靠性和坚固性,适合恶劣环境下的工业及汽车级应用。
  6. 能够承受雪崩能量,增强系统安全性和耐用性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 太阳能逆变器中的 DC/AC 转换。
  2. 工业电机驱动和变频器控制。
  3. 不间断电源 (UPS) 和其他备用电源系统。
  4. 电动汽车充电站的功率转换模块。
  5. 高效 AC/DC 和 DC/DC 转换器设计。
  6. 任何需要高频、高效和高温性能的电力电子设备。

替代型号

C3M0060120D
  C2M0080120D

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C3M0040120K参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥193.34000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)66A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 9.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)99 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+15V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2900 pF @ 1000 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)326W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4