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C3M0015065K 发布时间 时间:2025/6/20 12:50:11 查看 阅读:3

C3M0015065K 是一款碳化硅 (SiC) MOSFET,由 Wolfspeed(原 Cree)公司生产。该器件具有高效率、高速开关和高功率密度的特点,适用于高频电源转换应用。其额定电压为 1500V,导通电阻为 65mΩ,封装形式为 TO-247-3L。
  这款碳化硅 MOSFET 的主要特点是能够在高电压下提供低导通损耗和快速开关性能,非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及电机驱动等领域。

参数

额定电压:1500V
  额定电流:8A
  导通电阻:65mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关频率:最高可达 100kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

C3M0015065K 使用了先进的 SiC 技术,具备以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力:能够承受高达 1500V 的阻断电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:65mΩ 的典型导通电阻使得在高电流条件下也能够保持较低的传导损耗。
  3. 快速开关性能:具有非常低的栅极电荷和输出电荷,支持高频开关操作,从而提高系统效率。
  4. 宽温工作范围:可以在 -55℃ 到 +175℃ 的宽温范围内稳定运行,适合恶劣的工作环境。
  5. 良好的热性能:SiC 材料的优异热导性确保了器件在高功率密度下的高效散热。

应用

C3M0015065K 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中,包括但不限于:
  1. 工业电源:如不间断电源 (UPS) 和焊接设备。
  2. 太阳能逆变器:实现高效的光伏能量转换。
  3. 电动汽车充电基础设施:支持快速充电站的高频电源转换。
  4. 电机驱动:用于高性能电机控制中的功率级组件。
  5. 高频 DC-DC 转换器:用于电信和服务器电源等领域的紧凑型设计。

替代型号

C3M0016120K, C3M0016170K

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C3M0015065K参数

  • 现有数量1,491现货
  • 价格1 : ¥364.26000管件
  • 系列C3M?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)21 毫欧 @ 55.8A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 15.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)188 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+15V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5011 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)416W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4