时间：2025/12/28 16:21:25
阅读：13
C3D02060F 是一款由 Cissoid 公司生产的高温、高可靠性双路 N 沟道功率 MOSFET 驱动器芯片，专为在极端温度条件下（如航空航天、电动汽车和工业高温环境）稳定工作而设计。该器件采用耐高温的封装技术，可在高达 225°C 的环境温度下正常运行。C3D02060F 主要用于 SiC（碳化硅）MOSFET 和 GaN（氮化镓）晶体管的栅极驱动应用，具备高驱动能力和良好的抗干扰性能。
类型：MOSFET驱动器
通道数：2
输入类型：TTL兼容
驱动电压范围：12V至30V
输出电流（峰值）：±2A
传播延迟：典型值50ns
工作温度范围：-55°C 至 +225°C
封装形式：DFN-14
栅极驱动电压范围：12V至30V
共模瞬态抗扰度（CMTI）：＞100V/ns
供电电压范围：12V至30V
C3D02060F 的核心特性包括其卓越的高温工作能力，能够在极端环境温度下保持稳定运行，这使其特别适用于高温或高温波动较大的工业和航空航天应用。该驱动器芯片采用了 Cissoid 独有的高温工艺和封装技术，确保了在高温环境下的长期可靠性。
该芯片具备强大的输出驱动能力，可提供高达 ±2A 的峰值输出电流，适用于驱动高功率 SiC 和 GaN 器件。此外，其传播延迟低至 50ns，确保了快速开关响应，有助于提高功率变换系统的效率和动态性能。
C3D02060F 还具有高抗干扰能力，具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI）性能，通常超过 100V/ns，使其在高 dv/dt 环境中仍能可靠工作。此外，该芯片还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在供电电压不足时产生不稳定的驱动信号，从而保护功率器件免受损坏。
由于其双通道结构，C3D02060F 可同时驱动上下桥臂的功率 MOSFET 或 IGBT，适用于半桥、全桥和同步整流等拓扑结构。其封装形式为 DFN-14，具有良好的热管理和电气性能。
C3D02060F 主要应用于需要高温稳定运行的功率电子系统，如电动汽车（EV）的功率转换器、混合动力汽车（HEV）的逆变器、航空航天和军工设备中的高温电子系统、工业高温变频器以及 SiC/GaN 功率模块的栅极驱动电路。
在电动汽车中，该芯片可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电机驱动逆变器中，以实现高效率、高可靠性的功率转换。在航空航天和军工领域，C3D02060F 可用于恶劣环境下的电源管理系统和高温电子设备控制模块。
此外，C3D02060F 还适用于高频功率变换系统，如谐振变换器和软开关变换器，能够有效提升系统效率并减小磁性元件体积。在工业高温环境中，例如炼油、冶金和深井探测设备中，该芯片也展现出优异的稳定性和可靠性。
C3M02060F, C3D02060E
