型号：C3485
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（最大值0.85Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　最大功耗（Pd）：50W
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值350pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（为MOSFET，无体二极管快速恢复特性要求）
　　封装形式：TO-220

C3485作为一款经典的中高压N沟道功率MOSFET，具备多项优异的电气与热力学特性，使其在多种功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）确保了在高压环境下工作的可靠性，适用于AC-DC整流后的开关电源主开关管应用，尤其在200W以下的反激式（Flyback）或正激式（Forward）电源拓扑中表现稳定。其导通电阻Rds(on)在室温下典型值为0.65Ω，最大不超过0.85Ω，这一参数在同级别器件中处于合理水平，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。此外，该器件的连续漏极电流可达7A，脉冲电流支持至28A，说明其具备较强的瞬态负载承受能力，适合用于电机启动、继电器驱动等存在冲击电流的场景。
　　该MOSFET采用平面硅栅技术制造，虽然相较于现代的沟槽栅（Trench）结构在导通电阻和开关速度上略有劣势，但其结构更为稳健，抗浪涌能力和热稳定性较强。栅极阈值电压在2V～4V之间，使得它能够被标准逻辑电平或专用驱动IC有效驱动，兼容性良好。其输入电容Ciss约为1100pF，属于中等水平，在高频开关应用中需注意驱动电路的电流输出能力，以避免开关延迟或振荡问题。器件的最大功耗为50W，在配备适当散热器的情况下可长期稳定运行，结温范围从-55℃到+150℃，适应宽温环境下的工业级应用需求。
　　值得一提的是，C3485内部集成有体二极管，虽未特别优化反向恢复特性，但在同步整流或感性负载续流中仍能提供基本保护功能。同时，该器件具备一定的雪崩能量承受能力，能够在非重复性电压过冲事件中幸存，提升了系统鲁棒性。然而，由于其推出年代较早，部分新型MOSFET在Rds(on)、Qg（栅极电荷）和Eoss（输出电容储能）等关键参数上已有明显优势，因此在新设计中常被更高效器件取代。尽管如此，C3485凭借其成熟可靠的设计、广泛的供应渠道和低廉的成本，仍在维修替换和低成本方案中占据一席之地。

C3485广泛应用于各类中高压功率转换系统中。典型应用场景包括：开关电源（SMPS）中的主开关管，特别是在反激式拓扑中用于200W以下的电源适配器、电视机电源板和LED驱动电源；DC-DC变换器中作为升压或降压开关元件；工业控制设备中的电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速；此外，还常见于逆变器、UPS不间断电源、电子镇流器和充电器等设备中。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的开关特性，也适用于需要频繁通断操作的固态继电器（SSR）或电磁阀驱动模块。在照明领域，尤其是高压钠灯或金卤灯电子镇流器中，C3485可用于实现高频振荡和功率调节。同时，因其封装为标准TO-220，易于安装散热片，适合在空间允许且对散热有一定要求的应用中使用。对于维修技术人员而言，C3485是常见的替换型号之一，广泛用于老旧设备的元器件更换。需要注意的是，在高频或高效率要求的应用中，应评估其开关损耗是否满足系统需求，并配合合适的驱动电路与保护机制（如RC吸收网络、TVS钳位等）以延长使用寿命。

2SK2542
　　2SK2648
　　IRFBC30
　　KSC3485