型号：C3225X5R0J107MT000N
　　制造商：TDK
　　封装/尺寸：EIA 1210 (3225 metric)
　　电容值：100μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +85°C)
　　电极材料：镍/锡外电极（Ni-Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：编带（Tape and Reel）
　　产品系列：C系列（TDK通用MLCC系列）
　　最大厚度：约1.6mm
　　引脚数：2
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降明显，典型应用需考虑偏压影响

C3225X5R0J107MT000N 作为一款高容量小型化多层陶瓷电容器，具备多项关键性能特征。首先，其采用X5R类陶瓷介质，能够在-55°C至+85°C的宽温度范围内保持电容变化在±15%以内，相较于Y5V等介质具有更优的温度稳定性，适合对电容稳定性有一定要求但又需要较高容量的应用场景。尽管其容差标注为±20%，实际使用中由于直流偏压效应显著，施加电压后有效电容会明显降低，因此在电路设计时必须参考具体规格书中的DC偏压曲线进行降额设计。
　　该器件的物理尺寸为3.2mm × 2.5mm × 最大约1.6mm，在同类1210封装中实现100μF的大容量，体现了先进的叠层工艺与高介电常数材料的应用。这种高密度集成能力使其非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。同时，其SMD表面贴装结构支持回流焊工艺，具备良好的热循环耐受性与抗震性能，确保在复杂环境下的长期可靠性。
　　电气方面，该电容具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），尤其在高频下表现出优异的去耦能力，能有效抑制电源噪声和电压波动。但由于容量较大，其自谐振频率相对较低，通常在几十MHz范围内，因此在极高频应用中可能需配合小容量陶瓷电容共同使用以覆盖更宽带宽。此外，该器件不具备压电效应弱化处理，可能在音频或振动敏感电路中产生微音效应（microphonics），需谨慎评估应用场景。整体而言，该型号在成本、体积与性能之间实现了良好平衡，广泛应用于各类中低端电源管理模块中。

该电容器广泛应用于各类需要中等容量滤波与去耦的电子系统中。典型用途包括移动通信设备的电源管理单元（PMU）输入输出滤波，用于平滑电池供电带来的电压波动；在DC-DC降压或升压转换器中作为输入储能和输出滤波元件，帮助减少纹波电压并提高系统效率；在微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源引脚附近作为旁路电容，吸收瞬态电流需求，维持局部电源稳定。此外，也常见于工业控制板、消费类电子产品（如路由器、智能家电）、汽车电子中的非动力域控制系统（如信息娱乐系统）等对空间和成本敏感但对电容稳定性要求不过分严苛的场合。由于其工作温度范围较宽且符合工业级标准，可在较恶劣环境中稳定运行。值得注意的是，在高温或高电压偏置条件下，应特别关注其电容衰减问题，必要时可通过并联多个电容或选用更高额定电压型号来补偿性能损失。

C3225X5R0J107M160AC