时间：2025/6/27 14:41:12
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C3225CH1H683K200AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高功率转换场景。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列，具有出色的热稳定性和可靠性，适合在工业及汽车级应用中使用。
类型：MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
存储温度范围：-65℃ to +175℃
C3225CH1H683K200AA 提供了多种优势性能：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高击穿电压，适用于高压环境。
4. 内置保护机制，如过温保护和短路保护。
5. 优秀的热性能，保证长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无害。
这些特性使得 C3225CH1H683K200AA 成为高功率应用的理想选择。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管。
2. 工业电机驱动中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 高压 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
由于其高可靠性和高效性能，C3225CH1H683K200AA 在各种高要求应用场景中表现出色。
C3225CH1H683K200AB, IRFP260N, STP100N12F7
